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Crystalline ZnO/SrTiO3 transparent field effect transistor (Articolo in rivista)
- Type
- Label
- Crystalline ZnO/SrTiO3 transparent field effect transistor (Articolo in rivista) (literal)
- Anno
- 2008-01-01T00:00:00+01:00 (literal)
- Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#doi
- 10.1002/pssa.200778900 (literal)
- Alternative label
Bellingeri, E; Pallecchi, I; Pellegrino, L; Canu, G; Biasotti, M; Vignolo, M; Siri, AS; Marre, D (2008)
Crystalline ZnO/SrTiO3 transparent field effect transistor
in Physica status solidi. A, Applications and materials science (Print)
(literal)
- Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori
- Bellingeri, E; Pallecchi, I; Pellegrino, L; Canu, G; Biasotti, M; Vignolo, M; Siri, AS; Marre, D (literal)
- Pagina inizio
- Pagina fine
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- Rivista
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- Note
- Scopu (literal)
- ISI Web of Science (WOS) (literal)
- Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni
- CNR-INFM-Lamia, Corso Perrone 24, 16152 Genova, Italy
Dipartimento di Fisica, Università di Genova, Via Dodecaneso 33, 16146 Genova, Italy (literal)
- Titolo
- Crystalline ZnO/SrTiO3 transparent field effect transistor (literal)
- Abstract
- We fabricated field effect transistors which are transparent at visible wavelength, by realizing epitaxial ZnO/SrTiO3 heterostructures. High crystalline quality ZnO layers were grown by pulsed laser deposition on 110 oriented strontium titanate single crystals. By conventional photolithographic techniques we realized micrometric sized devices in both bottom-gate stacked layers geometry and planar side-gate configuration. Our transistors show 80% light transmittance, on/off ratios up to 10(6) and field effect mobilities up to 30 cm(2)/Vs at 77 K. (c) 2008 WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim. (literal)
- Prodotto di
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