Calculation of metamorphic two-dimensional quantum energy system: Application to wetting layer states in InAs/InGaAs metamorphic quantum dot nanostructures (Articolo in rivista)

Type

• Prodotto della ricerca (Classe)
• Articolo in rivista (Classe)

Label

• Calculation of metamorphic two-dimensional quantum energy system: Application to wetting layer states in InAs/InGaAs metamorphic quantum dot nanostructures (Articolo in rivista) (literal)

Anno

• 2013-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#doi

• 10.1063/1.4830021 (literal)

Alternative label

• Seravalli, L.; Trevisi, G.; Frigeri, P. (2013)
  Calculation of metamorphic two-dimensional quantum energy system: Application to wetting layer states in InAs/InGaAs metamorphic quantum dot nanostructures
  in Journal of applied physics; AMER INST PHYSICS, CIRCULATION & FULFILLMENT DIV, 2 HUNTINGTON QUADRANGLE, STE 1 N O 1, MELVILLE, NY 11747-4501 (Stati Uniti d'America)
  (literal)

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• Seravalli, L.; Trevisi, G.; Frigeri, P. (literal)

Pagina inizio

• 184309-1 (literal)

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• http://scitation.aip.org/content/aip/journal/jap/114/18/10.1063/1.4830021 (literal)

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• 114 (literal)

Rivista

• Journal of applied physics (Rivista)

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• 8 (literal)

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• 18 (literal)

Note

• ISI Web of Science (WOS) (literal)

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• IMEM CNR Inst, Parco Area Sci 37-A, I-43100 Parma, Italy. (literal)

Titolo

• Calculation of metamorphic two-dimensional quantum energy system: Application to wetting layer states in InAs/InGaAs metamorphic quantum dot nanostructures (literal)

Abstract

• In this work, we calculate the two-dimensional quantum energy system of the In(Ga)As wetting layer that arises in InAs/InGaAs/GaAs metamorphic quantum dot structures. Model calculations were carried on the basis of realistic material parameters taking in consideration their dependence on the strain relaxation of the metamorphic buffer; results of the calculations were validated against available literature data. Model results confirmed previous hypothesis on the extrinsic nature of the disappearance of wetting layer emission in metamorphic structures with high In composition. We also show how, by adjusting InGaAs metamorphic buffer parameters, it could be possible: (i) to spatially separate carriers confined in quantum dots from wetting layer carriers, (ii) to create an hybrid 0D-2D system, by tuning quantum dot and wetting layer levels. These results are interesting not only for the engineering of quantum dot structures but also for other applications of metamorphic structures, as the two design parameters of the metamorphic InGaAs buffer (thickness and composition) provide additional degrees of freedom to control properties of interest. (C) 2013 AIP Publishing LLC. (literal)

Editore

• AMER INST PHYSICS, CIRCULATION & FULFILLMENT DIV, 2 HUNTINGTON QUADRANGLE, STE 1 N O 1 (Editore)

Prodotto di

• Istituto dei materiali per l'elettronica ed il magnetismo (IMEM) (Istituto)
• Preparazione e caratterizzazione di nanostrutture per fotonica (MD.P06.037.005) (Modulo)

Autore CNR

• GIOVANNA TREVISI (Unità di personale interno)
• LUCA SERAVALLI (Unità di personale interno)
• PAOLA FRIGERI (Unità di personale interno)

Insieme di parole chiave

• Keywords of "Calculation of metamorphic two-dimensional quantum energy system: Application to wetting layer states in InAs/InGaAs metamorphic quantum dot nanostructures" (Insieme di parole chiave)

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Autore CNR di

• LUCA SERAVALLI (Unità di personale interno)
• PAOLA FRIGERI (Unità di personale interno)
• GIOVANNA TREVISI (Unità di personale interno)

Prodotto

• Istituto dei materiali per l'elettronica ed il magnetismo (IMEM) (Istituto)
• Preparazione e caratterizzazione di nanostrutture per fotonica (MD.P06.037.005) (Modulo)

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• Journal of applied physics (Rivista)

Editore di

• AMER INST PHYSICS, CIRCULATION & FULFILLMENT DIV, 2 HUNTINGTON QUADRANGLE, STE 1 N O 1 (Editore)

Insieme di parole chiave di

• Keywords of "Calculation of metamorphic two-dimensional quantum energy system: Application to wetting layer states in InAs/InGaAs metamorphic quantum dot nanostructures" (Insieme di parole chiave)