Preparing the Way for Doping Wurtzite Silicon Nanowires while Retaining the Phase (Articolo in rivista)

Type

• Articolo in rivista (Classe)
• Prodotto della ricerca (Classe)

Label

• Preparing the Way for Doping Wurtzite Silicon Nanowires while Retaining the Phase (Articolo in rivista) (literal)

Anno

• 2013-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#doi

• 10.1021/nl4028445 (literal)

Alternative label

• Fabbri, Filippo; Rotunno, Enzo; Lazzarini, Laura; Cavalcoli, Daniela; Castaldini, Antonio; Fukata, Naoki; Sato, Keisuke; Salviati, Giancarlo; Cavallini, Anna (2013)
  Preparing the Way for Doping Wurtzite Silicon Nanowires while Retaining the Phase
  in Nano letters (Print); AMER CHEMICAL SOC, 1155 16TH ST, NW, WASHINGTON, DC 20036 (Stati Uniti d'America)
  (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori

• Fabbri, Filippo; Rotunno, Enzo; Lazzarini, Laura; Cavalcoli, Daniela; Castaldini, Antonio; Fukata, Naoki; Sato, Keisuke; Salviati, Giancarlo; Cavallini, Anna (literal)

Pagina inizio

• 5900 (literal)

Pagina fine

• 5906 (literal)

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• http://pubs.acs.org/doi/abs/10.1021/nl4028445 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume

• 13 (literal)

Rivista

• Nano letters (Rivista)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#pagineTotali

• 7 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroFascicolo

• 12 (literal)

Note

• ISI Web of Science (WOS) (literal)
• Scopu (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni

• IMEM-CNR Institute, University Campus, Viale Delle Scienze 37/A, I-43124 Parma, Italy; International Center for Materials Nanoarchitectonics, National Institute for Materials Science, 1-1 Namiki, Tsukuba, Ibaraki 305-0044, Japan; Department of Physics and Astronomy, University of Bologna, Viale Berti Pichat 6/2, 40127 Bologna, Italy (literal)

Titolo

• Preparing the Way for Doping Wurtzite Silicon Nanowires while Retaining the Phase (literal)

Abstract

• It is demonstrated that boron-doped nanowires have predominantly long-term stable wurtzite phase while the majority of phosphorus-doped ones present diamond phase. A simplified model based on the different solubility of boron and phosphorus in gold is proposed to explain their diverse effectiveness in retaining the wurtzite phase. The wurtzite nanowires present a direct transition at the F point at approximately 1.5 eV while the diamond ones have a predominant emission around 1.1 eV. The aforementioned results are intriguing for innovative solar cell devices. (literal)

Editore

• AMER CHEMICAL SOC (Editore)

Prodotto di

• Istituto dei materiali per l'elettronica ed il magnetismo (IMEM) (Istituto)
• Sviluppo, caratterizzazione strutturale e modelling di strutture avanzate per elettronica (MD.P05.002.001) (Modulo)

Autore CNR

• LAURA LAZZARINI (Unità di personale interno)
• ENZO ROTUNNO (Persona)
• FILIPPO FABBRI (Persona)
• GIANCARLO SALVIATI (Persona)

Insieme di parole chiave

• Keywords of "Preparing the Way for Doping Wurtzite Silicon Nanowires while Retaining the Phase" (Insieme di parole chiave)

Incoming links:

Prodotto

• Istituto dei materiali per l'elettronica ed il magnetismo (IMEM) (Istituto)
• Sviluppo, caratterizzazione strutturale e modelling di strutture avanzate per elettronica (MD.P05.002.001) (Modulo)

Autore CNR di

• LAURA LAZZARINI (Unità di personale interno)
• GIANCARLO SALVIATI (Persona)
• ENZO ROTUNNO (Persona)
• FILIPPO FABBRI (Persona)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#rivistaDi

• Nano letters (Rivista)

Editore di

• AMER CHEMICAL SOC (Editore)

Insieme di parole chiave di

• Keywords of "Preparing the Way for Doping Wurtzite Silicon Nanowires while Retaining the Phase" (Insieme di parole chiave)