Infrared study of a La0.7Sr0.3MnO3-delta micrometric transistor channel (Articolo in rivista)

Type

• Articolo in rivista (Classe)
• Prodotto della ricerca (Classe)

Label

• Infrared study of a La0.7Sr0.3MnO3-delta micrometric transistor channel (Articolo in rivista) (literal)

Anno

• 2008-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#doi

• 10.1016/j.physb.2007.10.375 (literal)

Alternative label

• Ortolani, M; Lee, JS; Schade, U; Pallecchi, I; Gadaleta, A; Marre, D (2008)
  Infrared study of a La0.7Sr0.3MnO3-delta micrometric transistor channel
  in Physica. B + C (Print)
  (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori

• Ortolani, M; Lee, JS; Schade, U; Pallecchi, I; Gadaleta, A; Marre, D (literal)

Pagina inizio

• 1922 (literal)

Pagina fine

• 1926 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume

• 403 (literal)

Rivista

• Physica. B + C (Rivista)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#pagineTotali

• 5 (literal)

Note

• Scopu (literal)
• ISI Web of Science (WOS) (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni

• Berliner Elektronenspeicherringgesellschaft für Synchrotronstrahlung (BESSY), Albert-Einstein Strasse 15, 12489 Berlin, Germany CNR-INFM LAMIA and Università di Genova, Via Dodecaneso 33, 16146 Genova, Italy (literal)

Titolo

• Infrared study of a La0.7Sr0.3MnO3-delta micrometric transistor channel (literal)

Abstract

• We studied the polaron conductivity in a field-effect transistor (FET) based on the doped oxide La0.7Sr0.3MnO3-delta, where the electric field penetration depth is enhanced due to suppression of metallic conduction by large oxygen deficiency delta, by mid-infrared microspectroscopy (wavelengths from 1.4 to 12 mu m) on a 3 mu m wide active channel. Synchrotron radiation was used to obtain the mid-infrared response at the diffraction limit. We found that bound polarons, although clearly detected, play a minor role in the electric field-induced dc conductivity modulation, which may be then attributed to the accumulation/depletion of free carriers. (c) 2007 Elsevier B.V. All rights reserved. (literal)

Prodotto di

• Materiali funzionali e dispositivi (MD.P04.012.001) (Modulo)
• Superconduttività e sue applicazioni di potenza (MD.P04.011.001) (Modulo)

Autore CNR

• DANIELE MARRE' (Unità di personale esterno)
• ILARIA PALLECCHI (Persona)
• ALESSANDRO GADALETA (Persona)

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Autore CNR di

• ILARIA PALLECCHI (Persona)
• DANIELE MARRE' (Unità di personale esterno)
• ALESSANDRO GADALETA (Persona)

Prodotto

• Superconduttività e sue applicazioni di potenza (MD.P04.011.001) (Modulo)
• Materiali funzionali e dispositivi (MD.P04.012.001) (Modulo)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#rivistaDi

• Physica. B + C (Rivista)