Carrier-number fluctuations in the 2-dimensional electron gas at the LaAlO3/SrTiO3 interface (Articolo in rivista)

Type

• Prodotto della ricerca (Classe)
• Articolo in rivista (Classe)

Label

• Carrier-number fluctuations in the 2-dimensional electron gas at the LaAlO3/SrTiO3 interface (Articolo in rivista) (literal)

Anno

• 2013-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#doi

• 10.1063/1.4838637 (literal)

Alternative label

• C. Barone1,* F. Romeo1, S. Pagano1, E. Di Gennaro2, F. Miletto Granozio2, I. Pallecchi3, D. Marre'3, and U. Scotti di Uccio2 (2013)
  Carrier-number fluctuations in the 2-dimensional electron gas at the LaAlO3/SrTiO3 interface
  in Applied physics letters
  (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori

• C. Barone1,* F. Romeo1, S. Pagano1, E. Di Gennaro2, F. Miletto Granozio2, I. Pallecchi3, D. Marre'3, and U. Scotti di Uccio2 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#url

• http://www.scopus.com/inward/record.url?eid=2-s2.0-84889774939&partnerID=q2rCbXpz (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume

• 103 (literal)

Rivista

• Applied physics letters (Rivista)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroFascicolo

• 23 (literal)

Note

• Scopu (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni

• 1Dipartimento di Fisica \"E.R. Caianiello\" and CNR-SPIN Salerno, Universita` di Salerno, I-84084 Fisciano, Salerno, Italy 2CNR-SPIN Napoli and Dipartimento di Fisica, Universita` di Napoli \"Federico II\", I-80126 Napoli, Italy 3CNR-SPIN Genova and Dipartimento di Fisica, Universita` di Genova, I-16152 Genova, Italy (literal)

Titolo

• Carrier-number fluctuations in the 2-dimensional electron gas at the LaAlO3/SrTiO3 interface (literal)

Abstract

• The voltage-spectral density SV (f) of the 2-dimensional electron gas formed at the interface of LaAlO3/SrTiO3 has been thoroughly investigated. The low-frequency component has a clear 1/f behavior with a quadratic bias current dependence, attributed to resistance fluctuations. However, its temperature dependence is inconsistent with the classical Hooge model, based on carrier-mobility fluctuations. The experimental results are, instead, explained in terms of carrier-number fluctuations, due to an excitation-trapping mechanism of the 2-dimensional electron gas. (literal)

Prodotto di

• Crescita e caratterizzazioni magnetiche, ottiche e di trasporto di film e multistrati epitassiali o nanostrutturati (MD.P04.025.002) (Modulo)
• Metodologie innovative per lo studio ed il controllo delle proprietà (opto)elettroniche di materiali e dispositivi multifunzionali (MD.P04.026.003) (Modulo)
• Materiali e dispositivi innovativi per l'elettronica la spintronica e l'energetica (MD.P04.026.001) (Modulo)

Autore CNR

• FABIO MILETTO GRANOZIO (Persona)
• DANIELE MARRE' (Persona)
• EMILIANO DI GENNARO (Persona)
• ILARIA PALLECCHI (Persona)
• UMBERTO SCOTTI DI UCCIO (Persona)

Incoming links:

Autore CNR di

• ILARIA PALLECCHI (Persona)
• FABIO MILETTO GRANOZIO (Persona)
• DANIELE MARRE' (Persona)
• UMBERTO SCOTTI DI UCCIO (Persona)
• EMILIANO DI GENNARO (Persona)

Prodotto

• Crescita e caratterizzazioni magnetiche, ottiche e di trasporto di film e multistrati epitassiali o nanostrutturati (MD.P04.025.002) (Modulo)
• Materiali e dispositivi innovativi per l'elettronica la spintronica e l'energetica (MD.P04.026.001) (Modulo)
• Metodologie innovative per lo studio ed il controllo delle proprietà (opto)elettroniche di materiali e dispositivi multifunzionali (MD.P04.026.003) (Modulo)

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• Applied physics letters (Rivista)