Effect of rapid thermal annealing on optical and interfacial properties of atomic-layer-deposited Lu2O3 films on Si (100) (Articolo in rivista)

Type

• Articolo in rivista (Classe)
• Prodotto della ricerca (Classe)

Label

• Effect of rapid thermal annealing on optical and interfacial properties of atomic-layer-deposited Lu2O3 films on Si (100) (Articolo in rivista) (literal)

Anno

• 2008-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Alternative label

• Lu, HL; Scarel, G; Lamagna, L; Fanciulli, M; Ding, SJ; Zhang, DW (2008)
  Effect of rapid thermal annealing on optical and interfacial properties of atomic-layer-deposited Lu2O3 films on Si (100)
  in Applied physics letters
  (literal)

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• Lu, HL; Scarel, G; Lamagna, L; Fanciulli, M; Ding, SJ; Zhang, DW (literal)

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• 93 (literal)

Rivista

• Applied physics letters (Rivista)

Note

• ISI Web of Science (WOS) (literal)

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• \"[Lu, H. L.; Ding, Shi-Jin; Zhang, David Wei] Fudan Univ, Dept Microelect, State Key Lab ASIC & Syst, Shanghai 200433, Peoples R China; [Lu, H. L.; Scarel, G.; Lamagna, L.; Fanciulli, M.] Lab Nazl CNR INFM MDM, I-20041 Agrate Brianza, MI, Italy; [Fanciulli, M.] Univ Milano Bicocca, Dipartimento Sci Mat, I-20125 Milan, Italy (literal)

Titolo

• Effect of rapid thermal annealing on optical and interfacial properties of atomic-layer-deposited Lu2O3 films on Si (100) (literal)

Abstract

• Lu2O3 films have been grown on Si(100) by atomic layer deposition using Lu(iPrO)(3) (iPrO=OCH(CH3)(2)) and H2O. Optical properties and surface/interface evolution of the Lu2O3/Si system during rapid thermal annealing process have been studied using spectroscopic ellipsometry. The refractive index at 632.8 nm and optical band gap for as-deposited sample are determined to be 1.88 and 4.88 eV, respectively. It is revealed that interfacial Lu-silicate growth upon annealing is the dominant factor affecting the refractive index and optical band gap of Lu2O3 films. For all samples, the surface roughness decreases with increasing annealing temperature. (C) 2008 American Institute of Physics. [DOI: 10.1063/1.3002373] (literal)

Prodotto di

• Qubit a base di silicio o SiGe e studio di gas elettronici bidimensionali in dispositivi nanoelettronici (MD.P06.019.001) (Modulo)
• Materiali, processi, e tecniche analitiche per la realizzazione di dispositivi innovativi con funzionalità logiche o di memoria non volatile integrabili su Silicio (MD.P05.007.001) (Modulo)

Autore CNR

• LUCA LAMAGNA (Unità di personale esterno)
• HONG LIANG LU (Unità di personale esterno)
• MARCO FANCIULLI (Persona)
• GIOVANNA SCAREL (Unità di personale interno)

Insieme di parole chiave

• Parole chiave di "Effect of rapid thermal annealing on optical and interfacial properties of atomic-layer-deposited Lu2O3 films on Si (100)" (Insieme di parole chiave)

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Autore CNR di

• GIOVANNA SCAREL (Unità di personale interno)
• MARCO FANCIULLI (Persona)
• LUCA LAMAGNA (Unità di personale esterno)
• HONG LIANG LU (Unità di personale esterno)

Prodotto

• Materiali, processi, e tecniche analitiche per la realizzazione di dispositivi innovativi con funzionalità logiche o di memoria non volatile integrabili su Silicio (MD.P05.007.001) (Modulo)
• Qubit a base di silicio o SiGe e studio di gas elettronici bidimensionali in dispositivi nanoelettronici (MD.P06.019.001) (Modulo)

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• Applied physics letters (Rivista)

Insieme di parole chiave di

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