Resonant depletion of photogenerated carriers in InGaAs/GaAs nanowire mats (Articolo in rivista)

Type

• Prodotto della ricerca (Classe)
• Articolo in rivista (Classe)

Label

• Resonant depletion of photogenerated carriers in InGaAs/GaAs nanowire mats (Articolo in rivista) (literal)

Anno

• 2013-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#doi

• 10.1063/1.4803476 (literal)

Alternative label

• De Luca M, Polimeni A, Felici M, Miriametro A, Capizzi M, Mura F, Rubini S, Martelli F (2013)
  Resonant depletion of photogenerated carriers in InGaAs/GaAs nanowire mats
  in Applied physics letters
  (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori

• De Luca M, Polimeni A, Felici M, Miriametro A, Capizzi M, Mura F, Rubini S, Martelli F (literal)

Pagina inizio

• 173102 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume

• 102 (literal)

Rivista

• Applied physics letters (Rivista)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroFascicolo

• 17 (literal)

Note

• ISI Web of Science (WOS) (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni

• [ 1 ] Univ Roma La Sapienza, Dipartimento Fis, I-00185 Rome, Italy [ 2 ] Univ Roma La Sapienza, Dipartimento Sci Base & Applicate Ingn, I-00185 Rome, Italy [ 3 ] TASC IOM CNR, I-34149 Trieste, Italy [ 4 ] IMM CNR, I-00133 Rome, Italy (literal)

Titolo

• Resonant depletion of photogenerated carriers in InGaAs/GaAs nanowire mats (literal)

Abstract

• Photoluminescence excitation spectra of InGaAs in InGaAs/GaAs heterostructure nanowire mats show clear antiresonances at the critical points of the joint density of states of the GaAs barrier. This remarkable effect arises from resonant light absorption in the upper GaAs segments, with ensuing reduction of photogenerated carriers reaching the lower InGaAs segments. The extent of this effect depends strongly on the excitation geometry of the wires, as well as on their areal density. Our work suggests that a careful design is required for optimal light conversion in nanowire-based solar cell devices. (literal)

Prodotto di

• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)
• Materiali nanostrutturati per celle fotovoltaiche e dispositivi su larga area (MD.P05.001.005) (Modulo)

Autore CNR

• FAUSTINO MARTELLI (Unità di personale interno)
• SILVIA RUBINI (Unità di personale interno)

Incoming links:

Prodotto

• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)
• Materiali nanostrutturati per celle fotovoltaiche e dispositivi su larga area (MD.P05.001.005) (Modulo)

Autore CNR di

• FAUSTINO MARTELLI (Unità di personale interno)
• SILVIA RUBINI (Unità di personale interno)

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• Applied physics letters (Rivista)