High Growth Rate Process in a SiC Horizontal Reactor with HCl Addition: Structural and Electrical Characterization (Contributo in atti di convegno)

Type

• Contributo in atti di convegno (Classe)
• Prodotto della ricerca (Classe)

Label

• High Growth Rate Process in a SiC Horizontal Reactor with HCl Addition: Structural and Electrical Characterization (Contributo in atti di convegno) (literal)

Anno

• 2006-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Alternative label

• La Via F, Galvagno G, Firrincieli A, Di Franco S, Severino A, Leone S, Mauceri M, Pistone G, Abbondanza G, Portuese F, Calcagno L, Foti G (2006)
  High Growth Rate Process in a SiC Horizontal Reactor with HCl Addition: Structural and Electrical Characterization
  in Symposium on Silicon Carbide-Materials, Processing and Devices held at the 2006 MRS Spring Meeting, San Francisco, CA, APR 18-20, 2006
  (literal)

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• La Via F, Galvagno G, Firrincieli A, Di Franco S, Severino A, Leone S, Mauceri M, Pistone G, Abbondanza G, Portuese F, Calcagno L, Foti G (literal)

Pagina inizio

• 95 (literal)

Pagina fine

• 100 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#titoloVolume

• Silicon Carbide 2006 - Materials, Processing and Devices (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume

• 911 (literal)

Rivista

• Materials Research Society symposia proceedings (Rivista)

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• 6 (literal)

Note

• ISI Web of Science (WOS) (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni

• CNR-IMM, ETC, Dipartimento di Fisica Università di Catania (literal)

Titolo

• High Growth Rate Process in a SiC Horizontal Reactor with HCl Addition: Structural and Electrical Characterization (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#curatoriVolume

• Dudley M, Capano MA, Kimoto T, Powell AR, Wang S (literal)

Abstract

• The growth rate of 4H-SiC epitaxial layer has been increased by a factor 19 (up to 112 um/h) with respect to the standard process with the introduction of HCl in the deposition chamber. The epitaxial layers grown with the addition of HCl have been characterized by electrical, optical and structural characterization methods. The effects of different deposition parameters on the epitaxial growth process have been described in detail. This process can be very promising for high power devices with a breakdown voltage of 10 kV. (literal)

Prodotto di

• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)
• Nuovi processi per la produzione di wafer di Carburo di Silicio e nuove applicazioni nell'ambito del fotovoltaico e dei MEMS (MD.P05.009.001) (Modulo)

Autore CNR

• Andrea Severino (Persona)
• FRANCESCO LA VIA (Unità di personale interno)

Incoming links:

Prodotto

• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)
• Nuovi processi per la produzione di wafer di Carburo di Silicio e nuove applicazioni nell'ambito del fotovoltaico e dei MEMS (MD.P05.009.001) (Modulo)

Autore CNR di

• FRANCESCO LA VIA (Unità di personale interno)
• Andrea Severino (Persona)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#rivistaDi

• Materials Research Society symposia proceedings (Rivista)