Temperature dependent structural evolution of graphene layers on 4H-SiC(0001) (Articolo in rivista)

Type

• Articolo in rivista (Classe)
• Prodotto della ricerca (Classe)

Label

• Temperature dependent structural evolution of graphene layers on 4H-SiC(0001) (Articolo in rivista) (literal)

Anno

• 2011-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#doi

• 10.4028/www.scientific.net/MSF.679-680.797 (literal)

Alternative label

• Sonde, S.a b and Vecchio, C.a b and Giannazzo, F.a and Bongiorno, C.a and Di Franco, S.a and Rambach, M.c and Rimini, E.a d and Raineri, V.a (2011)
  Temperature dependent structural evolution of graphene layers on 4H-SiC(0001)
  in Materials science forum
  (literal)

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• Sonde, S.a b and Vecchio, C.a b and Giannazzo, F.a and Bongiorno, C.a and Di Franco, S.a and Rambach, M.c and Rimini, E.a d and Raineri, V.a (literal)

Pagina inizio

• 797 (literal)

Pagina fine

• 800 (literal)

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• cited By (since 1996)2; Conference of org.apache.xalan.xsltc.dom.DOMAdapter@1c89fc83 ; Conference Date: org.apache.xalan.xsltc.dom.DOMAdapter@27210b18 Through org.apache.xalan.xsltc.dom.DOMAdapter@6a5f68b9; Conference Code:84545 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#url

• http://www.scopus.com/inward/record.url?eid=2-s2.0-79955106784&partnerID=40&md5=81695db95380e3e3998ddc873db461e4 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume

• 679-680 (literal)

Rivista

• Materials science forum (Rivista)

Note

• Scopu (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni

• CNR-IMM, Strada VIII, 5, 95121, Catania, Italy; Scuola Superiore di Catania, Via San Nullo, 5/i, 95123, Catania, Italy; Centrotherm Thermal Solutions GmbH + Co. KG, Johannes-Schmid-Straße 8, 89143 Blaubeuren, Germany; Dipartimento di Fisica ed Astronomia, Università di Catani, Via S. Sofia, 64, 95123 Catania, Italy (literal)

Titolo

• Temperature dependent structural evolution of graphene layers on 4H-SiC(0001) (literal)

Abstract

• In this study we examined the structural evolution of graphene grown on 8° off-axis 4H-SiC(0001) substrates at temperatures from 1600°C to 1700°C in Ar ambient. Morphological transformation of SiC substrate after annealing was examined by Tapping Mode Atomic Force Microscopy. Moreover, by etching-out graphene layers from graphitized SiC substrates in selective trenches we determined the number of graphene layers. Numbers of graphene layers were then independently confirmed by Transmission Electron Microscopy imaging. (c) (2011) Trans Tech Publications. (literal)

Prodotto di

• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)
• Nanotecnologie e tecnologie avanzate per elettronica integrata (MD.P05.003.004) (Modulo)

Autore CNR

• VITO RAINERI (Persona)
• CORRADO BONGIORNO (Unità di personale interno)
• FILIPPO GIANNAZZO (Persona)
• SALVATORE DI FRANCO (Unità di personale interno)
• Carmelo Vecchio (Persona)
• SUSHANT SUDAM SONDE (Unità di personale esterno)

Insieme di parole chiave

• Parole chiave di "Temperature dependent structural evolution of graphene layers on 4H-SiC(0001)" (Insieme di parole chiave)

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Autore CNR di

• VITO RAINERI (Persona)
• FILIPPO GIANNAZZO (Persona)
• CORRADO BONGIORNO (Unità di personale interno)
• Carmelo Vecchio (Persona)
• SALVATORE DI FRANCO (Unità di personale interno)
• SUSHANT SUDAM SONDE (Unità di personale esterno)
• http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/unitaDiPersonaleEsterno/ID22802

Prodotto

• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)
• Nanotecnologie e tecnologie avanzate per elettronica integrata (MD.P05.003.004) (Modulo)

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Insieme di parole chiave di

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