Al+ Implanted 4H-SiC p(+)-i-n Diodes: Forward Current Negative Temperature Coefficient (Articolo in rivista)

Type

• Prodotto della ricerca (Classe)
• Articolo in rivista (Classe)

Label

• Al+ Implanted 4H-SiC p(+)-i-n Diodes: Forward Current Negative Temperature Coefficient (Articolo in rivista) (literal)

Anno

• 2013-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

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• 10.1109/LED.2013.2269863 (literal)

Alternative label

• Nipoti, Roberta and Moscatelli, Francesco and De Nicola, Pietro (2013)
  Al+ Implanted 4H-SiC p(+)-i-n Diodes: Forward Current Negative Temperature Coefficient
  in IEEE electron device letters (Print)
  (literal)

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• Nipoti, Roberta and Moscatelli, Francesco and De Nicola, Pietro (literal)

Pagina inizio

• 966 (literal)

Pagina fine

• 968 (literal)

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• http://ieeexplore.ieee.org/xpl/articleDetails.jsp?arnumber=6555852 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume

• 34 (literal)

Rivista

• IEEE electron device letters (Rivista)

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• 8 (literal)

Note

• ISI Web of Science (WOS) (literal)

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• CNR IMM Bologna, I-4038 Bologna, Italy Lab Micro & Submicro Enabling Technol Emilia Roma, I-40129 Bologna, Italy (literal)

Titolo

• Al+ Implanted 4H-SiC p(+)-i-n Diodes: Forward Current Negative Temperature Coefficient (literal)

Abstract

• Vertical 4H-Silicon Carbide p(+)-i-n diodes are obtained by a selective area 1.5 x 10 (20) cm(-3) Al+ ion implantation of the anodes. These diodes are fabricated with identical steps except post-implantation annealing that is 1650 degrees C/25 min and 1950 degrees C/5 min. Electrical characterization in the temperature range 25 degrees C-290 degrees C is performed. The 1650 degrees C/25 min diodes have forward currents with a positive temperature coefficient. The 1950 degrees C/5 min diodes have forward current characteristics with a crossover point from a positive to a negative temperature coefficient that makes such characteristics almost stable versus temperature. (literal)

Prodotto di

• Sviluppo di Modelli Fisici, Simulazioni e Tecniche di Caratterizzazione per le Nanoscienze (MD.P05.004.001) (Modulo)
• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)

Autore CNR

• ROBERTA NIPOTI (Unità di personale interno)
• FRANCESCO MOSCATELLI (Unità di personale interno)

Insieme di parole chiave

• Keywords of "Al+ Implanted 4H-SiC p(+)-i-n Diodes: Forward Current Negative Temperature Coefficient" (Insieme di parole chiave)

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Prodotto

• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)
• Sviluppo di Modelli Fisici, Simulazioni e Tecniche di Caratterizzazione per le Nanoscienze (MD.P05.004.001) (Modulo)

Autore CNR di

• ROBERTA NIPOTI (Unità di personale interno)
• FRANCESCO MOSCATELLI (Unità di personale interno)

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• IEEE electron device letters (Rivista)

Insieme di parole chiave di

• Keywords of "Al+ Implanted 4H-SiC p(+)-i-n Diodes: Forward Current Negative Temperature Coefficient" (Insieme di parole chiave)