Impact of substrate steps and of monolayer-bilayer junctions on the electronic transport in epitaxial graphene on 4H-SiC (0001) (Articolo in rivista)

Type

• Prodotto della ricerca (Classe)
• Articolo in rivista (Classe)

Label

• Impact of substrate steps and of monolayer-bilayer junctions on the electronic transport in epitaxial graphene on 4H-SiC (0001) (Articolo in rivista) (literal)

Anno

• 2013-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#doi

• 10.4028/www.scientific.net/MSF.740-742.113 (literal)

Alternative label

• Giannazzo F, Deretzis I, La Magna A, Di Franco S, Piluso N, Fiorenza P, Roccaforte F, Schmid P, Lerch W, Yakimova R (2013)
  Impact of substrate steps and of monolayer-bilayer junctions on the electronic transport in epitaxial graphene on 4H-SiC (0001)
  in Materials science forum
  (literal)

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• Giannazzo F, Deretzis I, La Magna A, Di Franco S, Piluso N, Fiorenza P, Roccaforte F, Schmid P, Lerch W, Yakimova R (literal)

Pagina inizio

• 113 (literal)

Pagina fine

• 116 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume

• 740-742 (literal)

Rivista

• Materials science forum (Rivista)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#pagineTotali

• 4 (literal)

Note

• ISI Web of Science (WOS) (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni

• IMM-CNR Catania (literal)

Titolo

• Impact of substrate steps and of monolayer-bilayer junctions on the electronic transport in epitaxial graphene on 4H-SiC (0001) (literal)

Abstract

• Two dimensional maps of the electronic conductance in epitaxial graphene (EG) grown on SiC were obtained by conductive atomic force microscopy (CAFM). The correlation between morphological and electrical maps revealed the local conductance degradation in EG over the SiC substrate steps or at the junction between monolayer (1L) and bilayer (2L) graphene regions. The effect of steps strongly depends on the charge transfer phenomena between the step sidewall and graphene, whereas the resistance increase at 1L/2L junction is a purely quantum mechanical effect, due to the weak coupling between 1L and 2L electron wavefunctions. (literal)

Prodotto di

• modelli e metodi numerici per la micro e nano elettronica (MD.P05.005.002) (Modulo)
• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)
• Nanotecnologie e tecnologie avanzate per elettronica integrata (MD.P05.003.004) (Modulo)

Autore CNR

• NICOLO' PILUSO (Unità di personale esterno)
• ANTONINO LA MAGNA (Persona)
• PATRICK FIORENZA (Persona)
• IOANNIS DERETZIS (Persona)
• FILIPPO GIANNAZZO (Persona)
• FABRIZIO ROCCAFORTE (Persona)
• SALVATORE DI FRANCO (Unità di personale interno)

Incoming links:

Autore CNR di

• FABRIZIO ROCCAFORTE (Persona)
• ANTONINO LA MAGNA (Persona)
• FILIPPO GIANNAZZO (Persona)
• NICOLO' PILUSO (Unità di personale esterno)
• SALVATORE DI FRANCO (Unità di personale interno)
• PATRICK FIORENZA (Persona)
• IOANNIS DERETZIS (Persona)

Prodotto

• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)
• Nanotecnologie e tecnologie avanzate per elettronica integrata (MD.P05.003.004) (Modulo)
• modelli e metodi numerici per la micro e nano elettronica (MD.P05.005.002) (Modulo)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#rivistaDi

• Materials science forum (Rivista)