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Electro-optical effect in hydrogenated amorphous silicon-based waveguide-integrated p-i-p and p-i-n configurations (Articolo in rivista)
- Type
- Label
- Electro-optical effect in hydrogenated amorphous silicon-based waveguide-integrated p-i-p and p-i-n configurations (Articolo in rivista) (literal)
- Anno
- 2013-01-01T00:00:00+01:00 (literal)
- Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#doi
- 10.1117/ 1.OE.52.8.087110 (literal)
- Alternative label
- Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori
- Sandro Rao
Giuseppe Coppola
Caterina Summonte
Mariano Antonio Gioffrè
Francesco Giuseppe Della Corte (literal)
- Pagina inizio
- Pagina fine
- Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#url
- http://opticalengineering.spiedigitallibrary.org/article.aspx?articleid=1730028 (literal)
- Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume
- Rivista
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- Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroFascicolo
- Note
- ISI Web of Science (WOS) (literal)
- Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni
- Università degli Studi \"Mediterranea\" Dipartimento di Ingegneria dell'Informazione, delle Infrastrutture e dell'Energia Sostenibile\" (DIIES)
Reggio Calabria, Italy
Institute for Microelectronics and Microsystems--Consiglio Nazionale delle Ricerche (IMM-CNR) Unit of Napoli
Institute for Microelectronics and Microsystems--Consiglio Nazionale delle Ricerche (IMM-CNR)-Unit of Bologna (literal)
- Titolo
- Electro-optical effect in hydrogenated amorphous silicon-based waveguide-integrated p-i-p and p-i-n configurations (literal)
- Abstract
- Abstract. A p-i-p configuration of an electro-optical modulator based on hydrogenated amorphous silicon (a-Si:H) is characterized and compared
with an a-Si:H based p-i-n modulator. In particular, we estimate the performances in terms of optical losses, voltage-length product, and
bandwidth at ? ¼ 1550 nm for waveguide-integrated p-i-p versus p-i-n configurations. Both devices are fabricated on a silicon substrate by
plasma enhanced chemical vapor deposition at low temperature ensuring the back-end integration with a CMOS microchip. We demonstrate a factor
of merit for the p-i-p waveguide integrated Fabry-Perot resonator of V? ×L? ¼ 19 V × cm allowing the design of shorter devices with respect to p-i-n structure. (literal)
- Prodotto di
- Autore CNR
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