Impact of the Morphological and Electrical Properties of SiO2/4H-SiC Interfaces on the Behavior of 4H-SiC MOSFETs (Articolo in rivista)

Type
Label
  • Impact of the Morphological and Electrical Properties of SiO2/4H-SiC Interfaces on the Behavior of 4H-SiC MOSFETs (Articolo in rivista) (literal)
Anno
  • 2013-01-01T00:00:00+01:00 (literal)
Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#doi
  • 10.1149/2.002308jss (literal)
Alternative label
  • Fabrizio Roccaforte, Patrick Fiorenza, Filippo Giannazzo (2013)
    Impact of the Morphological and Electrical Properties of SiO2/4H-SiC Interfaces on the Behavior of 4H-SiC MOSFETs
    in ECS Journal of Solid State Science and Technology
    (literal)
Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori
  • Fabrizio Roccaforte, Patrick Fiorenza, Filippo Giannazzo (literal)
Pagina inizio
  • N3006 (literal)
Pagina fine
  • N3011 (literal)
Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume
  • 2 (literal)
Rivista
Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroFascicolo
  • 8 (literal)
Note
  • ISI Web of Science (WOS) (literal)
Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni
  • CNR-IMM, Catania, Italy (literal)
Titolo
  • Impact of the Morphological and Electrical Properties of SiO2/4H-SiC Interfaces on the Behavior of 4H-SiC MOSFETs (literal)
Prodotto di
Autore CNR

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