SiO2/4H-SiC interface doping during post-deposition-annealing of the oxide in N2O or POCl3 (Articolo in rivista)

Type
Label
  • SiO2/4H-SiC interface doping during post-deposition-annealing of the oxide in N2O or POCl3 (Articolo in rivista) (literal)
Anno
  • 2013-01-01T00:00:00+01:00 (literal)
Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#doi
  • 10.1063/1.4824980 (literal)
Alternative label
  • P. Fiorenza, F. Giannazzo, M. Vivona, A. La Magna, F. Roccaforte (2013)
    SiO2/4H-SiC interface doping during post-deposition-annealing of the oxide in N2O or POCl3
    in Applied physics letters (Online)
    (literal)
Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori
  • P. Fiorenza, F. Giannazzo, M. Vivona, A. La Magna, F. Roccaforte (literal)
Pagina inizio
  • 153508-1 (literal)
Pagina fine
  • 153508-4 (literal)
Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume
  • 103 (literal)
Rivista
Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni
  • CNR-IMM, Catania, Italy (literal)
Titolo
  • SiO2/4H-SiC interface doping during post-deposition-annealing of the oxide in N2O or POCl3 (literal)
Prodotto di
Autore CNR

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