Micro- and Nano-Scale Electrical Characterization of Epitaxial Graphene on Off-Axis 4H-SiC (0001) (Articolo in rivista)

Type

• Prodotto della ricerca (Classe)
• Articolo in rivista (Classe)

Label

• Micro- and Nano-Scale Electrical Characterization of Epitaxial Graphene on Off-Axis 4H-SiC (0001) (Articolo in rivista) (literal)

Anno

• 2012-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#doi

• 10.4028/www.scientific.net/MSF.717-720.637 (literal)

Alternative label

• Giannazzo F, Bongiorno C, Di Franco S, Rimini E, Raineri V (2012)
  Micro- and Nano-Scale Electrical Characterization of Epitaxial Graphene on Off-Axis 4H-SiC (0001)
  in Materials science forum
  (literal)

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• Giannazzo F, Bongiorno C, Di Franco S, Rimini E, Raineri V (literal)

Pagina inizio

• 637 (literal)

Pagina fine

• 640 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume

• 717/720 (literal)

Rivista

• Materials science forum (Rivista)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#pagineTotali

• 4 (literal)

Note

• ISI Web of Science (WOS) (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni

• [ 1 ] CNR IMM, I-95121 Catania, Italy (literal)

Titolo

• Micro- and Nano-Scale Electrical Characterization of Epitaxial Graphene on Off-Axis 4H-SiC (0001) (literal)

Abstract

• The electrical properties of epitaxial graphene (EG) grown on 8 degrees off-axis 4H-SiC (0001) by annealing at 1600 degrees C in inert gas ambient (Ar) were studied. The sheet resistance of the EG layers (R-sh=740 +/- 50 Omega/sq) and the specific contact resistance of Ni contacts to EG (rho(c)approximate to 6x10(-5) Omega cm(2)) were evaluated on micrometer scale by measurements on transmission line model (TLM) structures. Si3N4 was evaluated as a gate dielectric, showing excellent coverage to EG and a limited effect on its conductivity. The high n-type doping (similar to 10(13) cm(-2)) of EG, as well as the field effect mobility (mu) dependence on n were determined using top gated field effect transistors (FETs) with Si3N4 gate dielectric. Electron mean free path (l(loc)) and mobility (mu(loc)) were also locally determined, on submicrometer scale, by scanning probe microscopy, showing a broad distribution of values, with the most probable value very similar to the macroscopic carrier mobility mu. (literal)

Prodotto di

• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)
• Semiconduttori innovativi per elettronica di potenza ed Rf (MD.P05.003.001) (Modulo)
• Materiali multifunzionali, e innovativi per componenti integrati (MD.P05.003.002) (Modulo)
• Nanotecnologie e tecnologie avanzate per elettronica integrata (MD.P05.003.004) (Modulo)

Autore CNR

• CORRADO BONGIORNO (Unità di personale interno)
• FILIPPO GIANNAZZO (Persona)
• VITO RAINERI (Persona)
• SALVATORE DI FRANCO (Unità di personale interno)

Insieme di parole chiave

• Keywords of "Micro- and Nano-Scale Electrical Characterization of Epitaxial Graphene on Off-Axis 4H-SiC (0001)" (Insieme di parole chiave)

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Autore CNR di

• VITO RAINERI (Persona)
• FILIPPO GIANNAZZO (Persona)
• CORRADO BONGIORNO (Unità di personale interno)
• SALVATORE DI FRANCO (Unità di personale interno)
• http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/unitaDiPersonaleEsterno/ID22802

Prodotto

• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)
• Nanotecnologie e tecnologie avanzate per elettronica integrata (MD.P05.003.004) (Modulo)
• Semiconduttori innovativi per elettronica di potenza ed Rf (MD.P05.003.001) (Modulo)
• Materiali multifunzionali, e innovativi per componenti integrati (MD.P05.003.002) (Modulo)

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• Materials science forum (Rivista)

Insieme di parole chiave di

• Keywords of "Micro- and Nano-Scale Electrical Characterization of Epitaxial Graphene on Off-Axis 4H-SiC (0001)" (Insieme di parole chiave)