Chemical vapor deposition growth of Fe3O4 thin films and Fe/Fe3O4 bi-layers for their integration in magnetic tunnel junctions (Articolo in rivista)

Type

• Prodotto della ricerca (Classe)
• Articolo in rivista (Classe)

Label

• Chemical vapor deposition growth of Fe3O4 thin films and Fe/Fe3O4 bi-layers for their integration in magnetic tunnel junctions (Articolo in rivista) (literal)

Anno

• 2012-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

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• 10.1016/j.tsf.2011.10.128 (literal)

Alternative label

• Vangelista, S.a and Mantovan, R.a and Cocco, S.a and Lamperti, A.a and Salicio, O.a and Fanciulli, M.a b (2012)
  Chemical vapor deposition growth of Fe3O4 thin films and Fe/Fe3O4 bi-layers for their integration in magnetic tunnel junctions
  in Thin solid films (Print)
  (literal)

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• Vangelista, S.a and Mantovan, R.a and Cocco, S.a and Lamperti, A.a and Salicio, O.a and Fanciulli, M.a b (literal)

Pagina inizio

• 4617 (literal)

Pagina fine

• 4621 (literal)

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• cited By (since 1996)2 (literal)

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• http://www.scopus.com/inward/record.url?eid=2-s2.0-84860276952&partnerID=40&md5=9e2baab84a541dafff4a95ea8e642a86 (literal)

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• 520 (literal)

Rivista

• Thin solid films (Rivista)

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• 5 (literal)

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• 14 (literal)

Note

• Scopu (literal)

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• Laboratorio MDM, IMM-CNR, Via C. Olivetti 2, 20846 Agrate Brianza (MB), Italy; Dipartimento di Scienza Dei Materiali, Università di Milano Bicocca, Via Cozzi 53, 20126 Milano, Italy (literal)

Titolo

• Chemical vapor deposition growth of Fe3O4 thin films and Fe/Fe3O4 bi-layers for their integration in magnetic tunnel junctions (literal)

Abstract

• A possible route for the synthesis of Fe3O4, Fe, and Fe/Fe3O4 bi-layers with chemical vapor deposition by employing the same Fe3(CO)12 carbonyl precursor is presented. The comprehensive structural, chemical, and morphological investigation of the as-deposited thin single films and bi-layers is performed by X-ray diffraction, X-ray reflectivity, Raman spectroscopy, and time-of-flight secondary ion mass spectrometry depth profiling. We present the possibility of performing the deposition of pure metallic Fe and Fe3O 4/?-Fe2O3 by adjusting the deposition pressure from 10- 3/- 4 Pa to 1 Pa, respectively. The integration of Fe3O4 thin films in a magnetic tunnel junction stack fully synthesized by in situ atomic layer and chemical vapor deposition processes is also presented, showing good stack stability and marginal interdiffusion. © 2011 Elsevier B.V. All rights reserved. (literal)

Prodotto di

• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)

Autore CNR

• SIMONE COCCO (Unità di personale interno)
• ROBERTO MANTOVAN (Unità di personale interno)
• ALESSIO LAMPERTI (Unità di personale interno)

Insieme di parole chiave

• Parole chiave di "Chemical vapor deposition growth of Fe3O4 thin films and Fe/Fe3O4 bi-layers for their integration in magnetic tunnel junctions" (Insieme di parole chiave)

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Prodotto

• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)

Autore CNR di

• SIMONE COCCO (Unità di personale interno)
• ROBERTO MANTOVAN (Unità di personale interno)
• ALESSIO LAMPERTI (Unità di personale interno)

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• Parole chiave di "Chemical vapor deposition growth of Fe3O4 thin films and Fe/Fe3O4 bi-layers for their integration in magnetic tunnel junctions" (Insieme di parole chiave)