Chemical vapor deposition of polycrystalline Fe 3O 4 thin films by using the cyclohexadiene iron tricarbonyl liquid precursor (Articolo in rivista)

Type

• Prodotto della ricerca (Classe)
• Articolo in rivista (Classe)

Label

• Chemical vapor deposition of polycrystalline Fe 3O 4 thin films by using the cyclohexadiene iron tricarbonyl liquid precursor (Articolo in rivista) (literal)

Anno

• 2012-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

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• 10.1063/1.3683082 (literal)

Alternative label

• Mantovan, R. and Vangelista, S. and Cocco, S. and Lamperti, A. and Salicio, O. (2012)
  Chemical vapor deposition of polycrystalline Fe 3O 4 thin films by using the cyclohexadiene iron tricarbonyl liquid precursor
  in Journal of applied physics; American Institute Of Physics (AIP), Melville (Stati Uniti d'America)
  (literal)

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• Mantovan, R. and Vangelista, S. and Cocco, S. and Lamperti, A. and Salicio, O. (literal)

Pagina inizio

• 07B107 (literal)

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• cited By (since 1996)1 (literal)

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• http://www.scopus.com/inward/record.url?eid=2-s2.0-84861749019&partnerID=40&md5=2d24d860aad80a958496e580a528c67c (literal)

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• 111 (literal)

Rivista

• Journal of applied physics (Rivista)

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• 3 (literal)

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• 7 (literal)

Note

• Scopu (literal)

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• Laboratorio MDM IMM-CNR, I-20864 Agrate Brianza (MB), Italy (literal)

Titolo

• Chemical vapor deposition of polycrystalline Fe 3O 4 thin films by using the cyclohexadiene iron tricarbonyl liquid precursor (literal)

Abstract

• Magnetite (Fe 3O 4) thin films are synthesized by chemical vapor deposition (CVD) with the cyclohexadiene iron tricarbonyl Fe(C 6H 8)(CO) 3 liquid precursor. The growth of pure, polycrystalline, and stoichiometric Fe 3O 4 films is confirmed by X-ray diffraction, Raman spectroscopy, time-of-flight secondary ion mass spectrometry, and conversion electron Mössbauer spectroscopy. At 297 K, the resistivity for 24.8 nm (100 nm) Fe 3O 4 thin film is 17 × 10 -3 ?cm (4.2 × 10 -3 cm), indicating the good electrical quality of the as-deposited layers. Magnetoresistance (MR) up to -2.2 is measured at 297 K at 1.1 T, corresponding to 15 electron spin polarization. A gradual increase of MR is observed at low temperature. In particular, the observed MR -4.4 at 120 K (at 0.8 T) is attributed to an intrinsic enhancement of the electrons spin polarization up to 21.5. © 2012 American Institute of Physics. (literal)

Editore

• American Institute Of Physics (AIP) (Editore)

Prodotto di

• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)

Autore CNR

• SIMONE COCCO (Unità di personale interno)
• ALESSIO LAMPERTI (Unità di personale interno)
• ROBERTO MANTOVAN (Unità di personale interno)

Insieme di parole chiave

• Parole chiave di "Chemical vapor deposition of polycrystalline Fe 3O 4 thin films by using the cyclohexadiene iron tricarbonyl liquid precursor" (Insieme di parole chiave)

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Prodotto

• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)

Autore CNR di

• SIMONE COCCO (Unità di personale interno)
• ROBERTO MANTOVAN (Unità di personale interno)
• ALESSIO LAMPERTI (Unità di personale interno)

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• Journal of applied physics (Rivista)

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• American Institute Of Physics (AIP) (Editore)

Insieme di parole chiave di

• Parole chiave di "Chemical vapor deposition of polycrystalline Fe 3O 4 thin films by using the cyclohexadiene iron tricarbonyl liquid precursor" (Insieme di parole chiave)