Internal field induced enhancement and effect of resonance in Raman scattering of InAs nanowires (Articolo in rivista)

Type

• Prodotto della ricerca (Classe)
• Articolo in rivista (Classe)

Label

• Internal field induced enhancement and effect of resonance in Raman scattering of InAs nanowires (Articolo in rivista) (literal)

Anno

• 2013-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#doi

• 10.1016/j.ssc.2013.02.003 (literal)

Alternative label

• Panda J. K. [ 1 ] ; Roy A. [ 1 ] ; Singha A. [ 2 ] ; Gemmi M. [ 3 ] ; Ercolani D. [ 4,5 ] ; Pellegrini V. [ 4,5 ] ; Sorba L. [ 5,4 ] (2013)
  Internal field induced enhancement and effect of resonance in Raman scattering of InAs nanowires
  in Solid state communications (Print); PERGAMON-ELSEVIER SCIENCE LTD, THE BOULEVARD, LANGFORD LANE, KIDLINGTON, OXFORD (Regno Unito)
  (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori

• Panda J. K. [ 1 ] ; Roy A. [ 1 ] ; Singha A. [ 2 ] ; Gemmi M. [ 3 ] ; Ercolani D. [ 4,5 ] ; Pellegrini V. [ 4,5 ] ; Sorba L. [ 5,4 ] (literal)

Pagina inizio

• 26 (literal)

Pagina fine

• 31 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume

• 160 (literal)

Rivista

• Solid state communications (Rivista)

Note

• ISI Web of Science (WOS) (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni

• [ 1 ] Indian Inst Technol, Dept Phys, Kharagpur 721302, W Bengal, India [ 2 ] Bose Inst, Dept Phys, Kolkata 700009, W Bengal, India [ 3 ] Ist Italiano Tecnol, Ctr Nanotechnol Innovat NEST, I-56127 Pisa, Italy [ 4 ] CNR, Ist Nanosci, NEST, I-56127 Pisa, Italy [ 5 ] Scuola Normale Super Pisa, I-56127 Pisa, Italy (literal)

Titolo

• Internal field induced enhancement and effect of resonance in Raman scattering of InAs nanowires (literal)

Abstract

• An internal field induced resonant intensity enhancement of Raman scattering of phonon excitations in InAs nanowires is reported. The experimental observation is in good agreement with the simulated results for the scattering of light under varying incident wavelengths, originating from the enhanced internal electric field in an infinite dielectric cylinder. Our analysis demonstrates the combined effect of the first higher lying direct band gap energy (E-1) and the refractive index of the InAs nanowires in the internal field induced Raman scattering. Furthermore, the difference in the relative contribution of electro-optic effect and deformation potential in Raman scattering of nanowires and bulk InAs over a range of excitation energies is discussed by comparing the intensity ratio of their LO and TO phonon modes. (literal)

Editore

• PERGAMON-ELSEVIER SCIENCE LTD (Editore)

Prodotto di

• Fenomeni coerenti in nanosistemi semiconduttori ed ibridi (MD.P06.021.002) (Modulo)
• Nanofotonica (MD.P06.020.002) (Modulo)

Autore CNR

• LUCIA SORBA (Unità di personale interno)
• DANIELE ERCOLANI (Unità di personale esterno)
• VITTORIO PELLEGRINI (Unità di personale interno)

Incoming links:

Autore CNR di

• LUCIA SORBA (Unità di personale interno)
• VITTORIO PELLEGRINI (Unità di personale interno)
• DANIELE ERCOLANI (Unità di personale esterno)

Prodotto

• Nanofotonica (MD.P06.020.002) (Modulo)
• Fenomeni coerenti in nanosistemi semiconduttori ed ibridi (MD.P06.021.002) (Modulo)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#rivistaDi

• Solid state communications (Rivista)

Editore di

• PERGAMON-ELSEVIER SCIENCE LTD (Editore)