Three-dimensional Shaping of Sub-micron GaAs Schottky Junctions for Zero-bias Terahertz Rectification (Articolo in rivista)

Type
Label
  • Three-dimensional Shaping of Sub-micron GaAs Schottky Junctions for Zero-bias Terahertz Rectification (Articolo in rivista) (literal)
Anno
  • 2011-01-01T00:00:00+01:00 (literal)
Alternative label
  • R. Casini, A. Di Gaspare, E. Giovine, A. Notargiacomo, M. Ortolani, V. Foglietti (2011)
    Three-dimensional Shaping of Sub-micron GaAs Schottky Junctions for Zero-bias Terahertz Rectification
    in Applied physics letters
    (literal)
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  • R. Casini, A. Di Gaspare, E. Giovine, A. Notargiacomo, M. Ortolani, V. Foglietti (literal)
Pagina inizio
  • 111111 (literal)
Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume
  • 99 (literal)
Rivista
Note
  • ISI Web of Science (WOS) (literal)
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  • CNR - Istituto di Fotonica e Nanotecnologie, Via Cineto Romano 42, 00156 Rome, Italy (literal)
Titolo
  • Three-dimensional Shaping of Sub-micron GaAs Schottky Junctions for Zero-bias Terahertz Rectification (literal)
Prodotto di
Autore CNR

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