Modulation of resistance switching in Au/Nb:SrTiO3 Schottky junctions by ambient oxygen (Articolo in rivista)

Type

• Articolo in rivista (Classe)
• Prodotto della ricerca (Classe)

Label

• Modulation of resistance switching in Au/Nb:SrTiO3 Schottky junctions by ambient oxygen (Articolo in rivista) (literal)

Anno

• 2012-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#doi

• 10.1063/1.4771603 (literal)

Alternative label

• R. Buzio 1, A. Gerbi 1, A. Gadaleta 1,2, L. Anghinolfi 3, F. Bisio 1, E. Bellingeri 1, A. S. Siri 1,2, D. Marre`1,2 (2012)
  Modulation of resistance switching in Au/Nb:SrTiO3 Schottky junctions by ambient oxygen
  in Applied physics letters; AMER INST PHYSICS, MELVILLE, NY (Stati Uniti d'America)
  (literal)

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• R. Buzio 1, A. Gerbi 1, A. Gadaleta 1,2, L. Anghinolfi 3, F. Bisio 1, E. Bellingeri 1, A. S. Siri 1,2, D. Marre`1,2 (literal)

Pagina inizio

• 243505-1 (literal)

Pagina fine

• 243505-5 (literal)

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• http://apl.aip.org/resource/1/applab/v101/i24/p243505_s1 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume

• 101 (literal)

Rivista

• Applied physics letters (Rivista)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#pagineTotali

• 6 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroFascicolo

• 24 (literal)

Note

• ISI Web of Science (WOS) (literal)

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• 1 CNR-SPIN Institute for Superconductivity, Innovative Materials and Devices, C.so Perrone 24, 16152 Genova, Italy 2 Physics Department, University of Genova, Via Dodecaneso 33, 16146 Genova, Italy 3 Paul Scherrer Institut, 5232 Villigen, Switzerland (literal)

Titolo

• Modulation of resistance switching in Au/Nb:SrTiO3 Schottky junctions by ambient oxygen (literal)

Abstract

• We investigated the room-temperature current-voltage characteristics of Au/Nb:SrTiO3 Schottky junctions under various atmospheres and working pressures. We observed that oxygen partial pressure reversibly modulates junction response, briefly individual specimens behave as high-quality rectifiers in oxygen-rich atmospheres and as bipolar resistive switches in vacuum and inert gases. A two orders of magnitude modulation of resistance switching characterizes samples with the highest content of interfacial oxygen vacancies. We attribute this behavior to oxygen ionosorption and chemical oxidation at the metal-oxide interface. Our results are relevant to oxide devices displaying resistive switching at ambient-exposed interfaces, and might be exploited for gas detection purposes. (literal)

Editore

• AMER INST PHYSICS (Editore)

Prodotto di

• Materiali e dispositivi innovativi per l'elettronica la spintronica e l'energetica (MD.P04.026.001) (Modulo)

Autore CNR

• ANDREA GERBI (Unità di personale interno)
• EMILIO BELLINGERI (Persona)
• RENATO BUZIO (Unità di personale interno)
• ALESSANDRO GADALETA (Persona)
• ANTONIO SIRI (Unità di personale esterno)
• FRANCESCO BISIO (Unità di personale interno)
• DANIELE MARRE' (Persona)

Incoming links:

Autore CNR di

• EMILIO BELLINGERI (Persona)
• DANIELE MARRE' (Persona)
• ALESSANDRO GADALETA (Persona)
• ANTONIO SIRI (Unità di personale esterno)
• ANDREA GERBI (Unità di personale interno)
• FRANCESCO BISIO (Unità di personale interno)
• RENATO BUZIO (Unità di personale interno)

Prodotto

• Materiali e dispositivi innovativi per l'elettronica la spintronica e l'energetica (MD.P04.026.001) (Modulo)

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• Applied physics letters (Rivista)

Editore di

• AMER INST PHYSICS (Editore)