Microwave operation of sub-micrometer gate surface channel MESFETs in polycystalline diamond (Articolo in rivista)

Type

• Articolo in rivista (Classe)
• Prodotto della ricerca (Classe)

Label

• Microwave operation of sub-micrometer gate surface channel MESFETs in polycystalline diamond (Articolo in rivista) (literal)

Anno

• 2009-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#doi

• 10.1002/mop.24738 (literal)

Alternative label

• P. Calvani 1; A. Corsaro 1; F. Sinisi 1; M.C. Rossi 1; G. Conte 1; E. Giovine 2; W. Ciccognani 3; E. Limiti 3 (2009)
  Microwave operation of sub-micrometer gate surface channel MESFETs in polycystalline diamond
  in Microwave and optical technology letters (Print); John Wiley & Sons Inc., Hoboken (Stati Uniti d'America)
  (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori

• P. Calvani 1; A. Corsaro 1; F. Sinisi 1; M.C. Rossi 1; G. Conte 1; E. Giovine 2; W. Ciccognani 3; E. Limiti 3 (literal)

Pagina inizio

• 2786 (literal)

Pagina fine

• 2788 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume

• 51 (literal)

Rivista

• Microwave and optical technology letters (Rivista)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#pagineTotali

• 3 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroFascicolo

• 11 (literal)

Note

• ISI Web of Science (WOS) (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni

• 1. Univ Roma Tre, Dept Elect Engn, I-00146 Rome, Italy 2. CNR, Ist Foton & Nanotecnol, Rome, Italy 3. Univ Roma Tor Vergata, Dept Elect Engn, I-00133 Rome, Italy (literal)

Titolo

• Microwave operation of sub-micrometer gate surface channel MESFETs in polycystalline diamond (literal)

Abstract

• Submicron gate-length metal semiconductor field effect transistors (MESFETs) were fabricated on hydrogen-terminated-large grain polycrystalline diamond. Devices showed high drain-source current (140 ma/mm) and large transconductance values (50 ms/mm), with a cut-off frequency f(r) = 10 GHz and a maximum oscillation frequency, f(max) up to 35 GHz. These values are obtained through the fabrication of devices with geometry and active region dimensions (200-500 nm gate length) compatible with available microelectronic technologies. (literal)

Editore

• John Wiley & Sons Inc. (Editore)

Prodotto di

• Istituto di fotonica e nanotecnologie (IFN) (Istituto)
• MEMS,NEMS e Dispositivi microelettronici (MD.P05.018.001) (Modulo)

Autore CNR

• PAOLO CALVANI (Unità di personale interno)
• ENNIO GIOVINE (Persona)

Insieme di parole chiave

• Keywords of "Microwave operation of sub-micrometer gate surface channel MESFETs in polycystalline diamond" (Insieme di parole chiave)

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Autore CNR di

• ENNIO GIOVINE (Persona)
• PAOLO CALVANI (Unità di personale interno)

Prodotto

• Istituto di fotonica e nanotecnologie (IFN) (Istituto)
• MEMS,NEMS e Dispositivi microelettronici (MD.P05.018.001) (Modulo)

Editore di

• John Wiley & Sons Inc. (Editore)

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• Microwave and optical technology letters (Rivista)

Insieme di parole chiave di

• Keywords of "Microwave operation of sub-micrometer gate surface channel MESFETs in polycystalline diamond" (Insieme di parole chiave)