On the \"Step Bunching\" Phenomena Observed on Etched and Homoepitaxially Grown 4H Silicon Carbide (Articolo in rivista)

Type

• Articolo in rivista (Classe)
• Prodotto della ricerca (Classe)

Label

• On the \"Step Bunching\" Phenomena Observed on Etched and Homoepitaxially Grown 4H Silicon Carbide (Articolo in rivista) (literal)

Anno

• 2011-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#doi

• 10.4028/www.scientific.net/MSF.679-680.358 (literal)

Alternative label

• Massimo Camarda, Andrea Severino, Patrick Fiorenza, Vito Raineri, S. Scalese, Corrado Bongiorno, Antonino La Magna, Francesco La Via, Marco Mauceri, Danilo Crippa (2011)
  On the "Step Bunching" Phenomena Observed on Etched and Homoepitaxially Grown 4H Silicon Carbide
  in Materials Science Forum
  (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori

• Massimo Camarda, Andrea Severino, Patrick Fiorenza, Vito Raineri, S. Scalese, Corrado Bongiorno, Antonino La Magna, Francesco La Via, Marco Mauceri, Danilo Crippa (literal)

Pagina inizio

• 358 (literal)

Pagina fine

• 361 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume

• 679-680 (literal)

Rivista

• Materials Science Forum (Rivista)

Note

• ISI Web of Science (WOS) (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni

• CNR-IMM, Catania BIC Sicilia Pantano Arci, Epitaxial Technol Ctr, I-95030 Catania, Italy LPE, I-20021 Bollate, Mi, Italy (literal)

Titolo

• On the \"Step Bunching\" Phenomena Observed on Etched and Homoepitaxially Grown 4H Silicon Carbide (literal)

Abstract

• Using several types of surface analysis (Optical profilometers (OP), Atomic Force Microscopies (AFM), Scanning Electron Microscopies (SEM) and cross-sectional high-resolution Transmission Electron Microscopies (TEM)) we analyze the surface morphologies of misoriented 4H silicon carbide after pre-growth hydrogen etching and homo-epitaxial growths. We observed the characteristic self-ordering of nano-facets on any analyzed surface. This nano-faceting, which should not be confused with step bunching, can be considered as a close-to-equilibrium instability, for this reason can be hindered (literal)

Prodotto di

• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)
• Nuovi processi per la produzione di wafer di Carburo di Silicio e nuove applicazioni nell'ambito del fotovoltaico e dei MEMS (MD.P05.009.001) (Modulo)

Autore CNR

• ANTONINO LA MAGNA (Persona)
• CORRADO BONGIORNO (Unità di personale interno)
• SILVIA SCALESE (Persona)
• PATRICK FIORENZA (Persona)
• FRANCESCO LA VIA (Unità di personale interno)
• MASSIMO CAMARDA (Unità di personale esterno)

Insieme di parole chiave

• Parole chiave di "On the \"Step Bunching\" Phenomena Observed on Etched and Homoepitaxially Grown 4H Silicon Carbide" (Insieme di parole chiave)

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Autore CNR di

• ANTONINO LA MAGNA (Persona)
• FRANCESCO LA VIA (Unità di personale interno)
• CORRADO BONGIORNO (Unità di personale interno)
• SILVIA SCALESE (Persona)
• MASSIMO CAMARDA (Unità di personale esterno)
• PATRICK FIORENZA (Persona)

Prodotto

• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)
• Nuovi processi per la produzione di wafer di Carburo di Silicio e nuove applicazioni nell'ambito del fotovoltaico e dei MEMS (MD.P05.009.001) (Modulo)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#rivistaDi

• Materials Science Forum (Rivista)

Insieme di parole chiave di

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