2DEG based on strained Si on SGOI substrate (Articolo in rivista)

Type

• Articolo in rivista (Classe)
• Prodotto della ricerca (Classe)

Label

• 2DEG based on strained Si on SGOI substrate (Articolo in rivista) (literal)

Anno

• 2008-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#doi

• 10.1016/j.physe.2007.09.159 (literal)

Alternative label

• L. Di Gaspare 1; A. Notargiacomo 1-2; E. Giovine 2; M. De Seta 1; G. Capellini 1; M. Pea 1; G. Ciasca 1; F. Evangelisti 1-2 (2008)
  2DEG based on strained Si on SGOI substrate
  in Physica. E, Low-dimensional systems and nanostructures (Print); ELSEVIER SCIENCE BV, PO BOX 211, 1000 AE AMSTERDAM, NETHERLANDS, AMSTERDAM (Paesi Bassi)
  (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori

• L. Di Gaspare 1; A. Notargiacomo 1-2; E. Giovine 2; M. De Seta 1; G. Capellini 1; M. Pea 1; G. Ciasca 1; F. Evangelisti 1-2 (literal)

Pagina inizio

• 1611 (literal)

Pagina fine

• 1613 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume

• 40 (literal)

Rivista

• Physica. E, Low-dimensional systems and nanostructures (Rivista)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#pagineTotali

• 3 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroFascicolo

• 5 (literal)

Note

• ISI Web of Science (WOS) (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni

• 1. Dipartimento di Fisica, Università Roma Tre, Via Vasca Navale 84, 00146 Roma, Italy 2. Istituto di Fotonica e Nanotecnologie, Consiglio Nazionale delle Ricerche, Via Cineto Romano 42, 00156 Roma, Italy (literal)

Titolo

• 2DEG based on strained Si on SGOI substrate (literal)

Abstract

• We report on the realization of high-mobility two-dimensional electron gas based on modulation-doped Si/SiGe heterostructure grown directly on thin SiGe-On-Insulator (SGOI) substrate. The samples were grown by using low-pressure chemical vapor deposition. A pregrowth procedure for the cleaning of the SGOI surface that preserves the integrity and the composition of the substrate was developed. An electron mobility as high as 10(5)cm(2)V(-1) s(-1) at T = 0.4 K and 2000 cm(2)V(-1) s(-1) at T = 300 K was obtained. (C) 2007 Elsevier B.V. All rights reserved. (literal)

Editore

• ELSEVIER SCIENCE BV, PO BOX 211, 1000 AE AMSTERDAM, NETHERLANDS (Editore)

Prodotto di

• Istituto di fotonica e nanotecnologie (IFN) (Istituto)
• Nanodispositivi a semiconduttore (MD.P06.001.001) (Modulo)

Autore CNR

• ANDREA NOTARGIACOMO (Persona)
• ENNIO GIOVINE (Persona)
• FLORESTANO EVANGELISTI (Unità di personale esterno)

Insieme di parole chiave

• Parole chiave di "2DEG based on strained Si on SGOI substrate" (Insieme di parole chiave)

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Autore CNR di

• ENNIO GIOVINE (Persona)
• FLORESTANO EVANGELISTI (Unità di personale esterno)
• ANDREA NOTARGIACOMO (Persona)

Prodotto

• Istituto di fotonica e nanotecnologie (IFN) (Istituto)
• Nanodispositivi a semiconduttore (MD.P06.001.001) (Modulo)

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• Physica. E, Low-dimensional systems and nanostructures (Rivista)

Editore di

• ELSEVIER SCIENCE BV, PO BOX 211, 1000 AE AMSTERDAM, NETHERLANDS (Editore)

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