Fabrication of MOS capacitors by wet oxidation of p-type 4H-SiC preamorphized by nitrogen ion implantation (Contributo in atti di convegno)

Type

• Prodotto della ricerca (Classe)
• Contributo in atti di convegno (Classe)

Label

• Fabrication of MOS capacitors by wet oxidation of p-type 4H-SiC preamorphized by nitrogen ion implantation (Contributo in atti di convegno) (literal)

Anno

• 2007-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#doi

• 10.4028/www.scientific.net/MSF.556-557 (literal)

Alternative label

• Hijikata, Y.; Yoshida, S ; Moscatelli, F ; Poggi, A ; Solmi, S ; Cristiani, S ; Nipoti, R (2007)
  Fabrication of MOS capacitors by wet oxidation of p-type 4H-SiC preamorphized by nitrogen ion implantation
  in 6th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials, Newcastle upon Tyne, ENGLAND, SEP, 2006
  (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori

• Hijikata, Y.; Yoshida, S ; Moscatelli, F ; Poggi, A ; Solmi, S ; Cristiani, S ; Nipoti, R (literal)

Pagina inizio

• 651 (literal)

Pagina fine

• 654 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#titoloVolume

• Silicon Carbide and Related Materials 2006 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume

• 556-557 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#pagineTotali

• 4 (literal)

Note

• ISI Web of Science (WOS) (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni

• Saitama Univ, Div Math Elect & Informat, Sakura Ku, 255 Shimo Okubo, Saitama 3388570, Japan. CNR-IMM Bologna, Via Gobetti 101-40129 Bologna-Italy (literal)

Titolo

• Fabrication of MOS capacitors by wet oxidation of p-type 4H-SiC preamorphized by nitrogen ion implantation (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#isbn

• 0-87849-334-4 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#curatoriVolume

• N. Wright, C.M. Johnson, K. Vassilevski, I. Nikitina and A. Horsfall (literal)

Abstract

• 4H-SiC p-type MOS capacitors fabricated by wet oxidation of SiC preamorphized by nitrogen ion (NI) implantation have been investigated. The oxidation rate of the SiC layer preamorphized by high-dose N+ was much larger than that of crystalline SiC, allowing us to reduce the fabrication time of SiC MOS devices. We found that the presence of the surface amorphous SiC layer before the oxidation process did not influence the interface state density in MOS capacitors. Moreover, the shift of the flat-band voltage is not correlated to the amount of nitrogen in the oxide. On the contrary the density of interface states near the valence band edge increased according with the high concentration of the implanted N at the oxide-SiC interface, as in the case of dry oxidation reported by Ciobanu et al. The generation of positive charges due to the nitrogen embedded inside the oxide layer was smaller compared with dry oxidation. We discuss the difference between wet and dry oxidation for MOS capacitors fabricated with N+ implantation. (literal)

Editore

• TRANS TECH PUBLICATIONS LTD (Editore)

Prodotto di

• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)

Autore CNR

• SANDRO SOLMI (Unità di personale interno)
• STEFANO CRISTIANI (Unità di personale interno)
• ANTONELLA POGGI (Unità di personale interno)
• ROBERTA NIPOTI (Unità di personale interno)
• FRANCESCO MOSCATELLI (Unità di personale esterno)

Insieme di parole chiave

• Parole chiave di "Fabrication of MOS capacitors by wet oxidation of p-type 4H-SiC preamorphized by nitrogen ion implantation" (Insieme di parole chiave)

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Autore CNR di

• STEFANO CRISTIANI (Unità di personale interno)
• SANDRO SOLMI (Unità di personale interno)
• ANTONELLA POGGI (Unità di personale interno)
• ROBERTA NIPOTI (Unità di personale interno)
• FRANCESCO MOSCATELLI (Unità di personale esterno)

Prodotto

• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)

Editore di

• TRANS TECH PUBLICATIONS LTD (Editore)

Insieme di parole chiave di

• Parole chiave di "Fabrication of MOS capacitors by wet oxidation of p-type 4H-SiC preamorphized by nitrogen ion implantation" (Insieme di parole chiave)