Electrical instability in self-aligned p-channel polysilicon TFTs related to oxide residual damage (Articolo in rivista)

Type

• Prodotto della ricerca (Classe)
• Articolo in rivista (Classe)

Label

• Electrical instability in self-aligned p-channel polysilicon TFTs related to oxide residual damage (Articolo in rivista) (literal)

Anno

• 2007-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Alternative label

• M. Rapisarda, L. Mariucci, A. Valletta, A. Pecora and G. Fortunato, C. Caligiore, E. Fontana, S. Leonardi, F. Tramontana (2007)
  Electrical instability in self-aligned p-channel polysilicon TFTs related to oxide residual damage
  in Solid-state electronics
  (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori

• M. Rapisarda, L. Mariucci, A. Valletta, A. Pecora and G. Fortunato, C. Caligiore, E. Fontana, S. Leonardi, F. Tramontana (literal)

Rivista

• Solid-state electronics (Rivista)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#note

• accettato per la pubblicazione (literal)

Note

• ISI Web of Science (WOS) (literal)

Titolo

• Electrical instability in self-aligned p-channel polysilicon TFTs related to oxide residual damage (literal)

Prodotto di

• Istituto di fotonica e nanotecnologie (IFN) (Istituto)
• Dispositivi per elettronica di larga area (MD.P05.001.001) (Modulo)

Autore CNR

• ALESSANDRO PECORA (Persona)
• LUIGI MARIUCCI (Unità di personale interno)
• ANTONIO VALLETTA (Unità di personale interno)
• GUGLIELMO FORTUNATO (Persona)

Incoming links:

Autore CNR di

• ALESSANDRO PECORA (Persona)
• GUGLIELMO FORTUNATO (Persona)
• ANTONIO VALLETTA (Unità di personale interno)
• LUIGI MARIUCCI (Unità di personale interno)

Prodotto

• Istituto di fotonica e nanotecnologie (IFN) (Istituto)
• Dispositivi per elettronica di larga area (MD.P05.001.001) (Modulo)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#rivistaDi

• Solid-state electronics (Rivista)