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Self-heating effects in polycrystalline silicon thin film transistors (Articolo in rivista)
- Type
- Label
- Self-heating effects in polycrystalline silicon thin film transistors (Articolo in rivista) (literal)
- Anno
- 2006-01-01T00:00:00+01:00 (literal)
- Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#doi
- 10.1063/1.2337108 (literal)
- Alternative label
A. Valletta; A. Moroni; L. Mariucci; A. Bonfiglietti; G. Fortunato; (2006)
Self-heating effects in polycrystalline silicon thin film transistors
in Applied physics letters; AIP, American institute of physics, Melville, NY (Stati Uniti d'America)
(literal)
- Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori
- A. Valletta; A. Moroni; L. Mariucci; A. Bonfiglietti; G. Fortunato; (literal)
- Pagina inizio
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- http://apl.aip.org/resource/1/applab/v89/i9/p093509_s1 (literal)
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- Rivista
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- Note
- ISI Web of Science (WOS) (literal)
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- IFN-CNR, Via Cineto Romano 42, 00156 Rome, Italy (literal)
- Titolo
- Self-heating effects in polycrystalline silicon thin film transistors (literal)
- Abstract
- Self-heating effects are investigated in polycrystalline silicon thin film transistors by combining experimental measurements and two-dimensional numerical simulations. From the thermodynamic model the temperature distribution was extracted and found rather uniform along the channel. This allowed the authors to introduce a simplified method to determine the channel temperature when the device is affected by self-heating effects. (literal)
- Editore
- Prodotto di
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