Self-heating effects in polycrystalline silicon thin film transistors (Articolo in rivista)

Type
Label
  • Self-heating effects in polycrystalline silicon thin film transistors (Articolo in rivista) (literal)
Anno
  • 2006-01-01T00:00:00+01:00 (literal)
Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#doi
  • 10.1063/1.2337108 (literal)
Alternative label
  • A. Valletta; A. Moroni; L. Mariucci; A. Bonfiglietti; G. Fortunato; (2006)
    Self-heating effects in polycrystalline silicon thin film transistors
    in Applied physics letters; AIP, American institute of physics, Melville, NY (Stati Uniti d'America)
    (literal)
Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori
  • A. Valletta; A. Moroni; L. Mariucci; A. Bonfiglietti; G. Fortunato; (literal)
Pagina inizio
  • 093509 (literal)
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  • http://apl.aip.org/resource/1/applab/v89/i9/p093509_s1 (literal)
Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume
  • 89 (literal)
Rivista
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  • 3 (literal)
Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroFascicolo
  • 9 (literal)
Note
  • ISI Web of Science (WOS) (literal)
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  • IFN-CNR, Via Cineto Romano 42, 00156 Rome, Italy (literal)
Titolo
  • Self-heating effects in polycrystalline silicon thin film transistors (literal)
Abstract
  • Self-heating effects are investigated in polycrystalline silicon thin film transistors by combining experimental measurements and two-dimensional numerical simulations. From the thermodynamic model the temperature distribution was extracted and found rather uniform along the channel. This allowed the authors to introduce a simplified method to determine the channel temperature when the device is affected by self-heating effects. (literal)
Editore
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