Improved electrical stability in asymmetric fingered polysilicon Thin Film Transistors (Articolo in rivista)

Type

• Prodotto della ricerca (Classe)
• Articolo in rivista (Classe)

Label

• Improved electrical stability in asymmetric fingered polysilicon Thin Film Transistors (Articolo in rivista) (literal)

Anno

• 2006-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#doi

• 10.1063/1.2354420 (literal)

Alternative label

• M. Cuscunà; L. Mariucci; G. Fortunato; A. Bonfiglietti; A. Pecora; A. Valletta (2006)
  Improved electrical stability in asymmetric fingered polysilicon Thin Film Transistors
  in Applied physics letters
  (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori

• M. Cuscunà; L. Mariucci; G. Fortunato; A. Bonfiglietti; A. Pecora; A. Valletta (literal)

Pagina inizio

• 123506-1 (literal)

Pagina fine

• 123506-3 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume

• 89 (literal)

Rivista

• Applied physics letters (Rivista)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#pagineTotali

• 3 (literal)

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• 12 (literal)

Note

• ISI Web of Science (WOS) (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni

• CNR, IFN, Via Cineto Romano 42, I-00156 Rome, Italy (literal)

Titolo

• Improved electrical stability in asymmetric fingered polysilicon Thin Film Transistors (literal)

Abstract

• The authors studied the electrical stability of the asymmetric fingered polysilicon thin film transistors (AF-TFTs) at different bias-stress conditions by using a new test structure with an additional contact on the n(+)-floating region. This structure allows to measure the two subchannel TFT (sub-TFT) electrical characteristics before and after bias stressing. The AF-TFTs show a very stable saturation regime, even when bias stressing at very high V-ds, where the electrical characteristics of both sub-TFTs are degraded. The authors concluded that stability of the AF-TFTs is related to the specific operation of the device rather than to immunity of this structure to hot carrier effects. (literal)

Prodotto di

• Dispositivi per elettronica di larga area (MD.P05.001.004) (Modulo)
• Istituto di fotonica e nanotecnologie (IFN) (Istituto)

Autore CNR

• ALESSANDRO PECORA (Persona)
• LUIGI MARIUCCI (Unità di personale interno)
• GUGLIELMO FORTUNATO (Persona)
• MASSIMO CUSCUNA' (Unità di personale interno)
• ANTONIO VALLETTA (Unità di personale interno)

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Autore CNR di

• ALESSANDRO PECORA (Persona)
• GUGLIELMO FORTUNATO (Persona)
• MASSIMO CUSCUNA' (Unità di personale interno)
• ANTONIO VALLETTA (Unità di personale interno)
• LUIGI MARIUCCI (Unità di personale interno)

Prodotto

• Istituto di fotonica e nanotecnologie (IFN) (Istituto)
• Dispositivi per elettronica di larga area (MD.P05.001.004) (Modulo)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#rivistaDi

• Applied physics letters (Rivista)