Conductance quantization in etched Si/SiGe quantum point contacts (Articolo in rivista)

Type

• Articolo in rivista (Classe)
• Prodotto della ricerca (Classe)

Label

• Conductance quantization in etched Si/SiGe quantum point contacts (Articolo in rivista) (literal)

Anno

• 2006-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#doi

• 10.1103/PhysRevB.74.035321 (literal)

Alternative label

• G. Scappucci 1; L. Di Gaspare 1; E. Giovine 2; A. Notargiacomo 2; R. Leoni 2; F. Evangelisti 1-2 (2006)
  Conductance quantization in etched Si/SiGe quantum point contacts
  in Physical review. B, Condensed matter and materials physics (Online); American Physical Society (APS), College Pk (Stati Uniti d'America)
  (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori

• G. Scappucci 1; L. Di Gaspare 1; E. Giovine 2; A. Notargiacomo 2; R. Leoni 2; F. Evangelisti 1-2 (literal)

Pagina inizio

• 35321 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume

• 74 (literal)

Rivista

• Physical review. B, Condensed matter and materials physics (Rivista)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroFascicolo

• 3 (literal)

Note

• ISI Web of Science (WOS) (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni

• 1 Dipartimento di Fisica \"E. Amaldi,\" Università Roma TRE 2 Istituto di Fotonica e Nanotecnologie, IFN-CNR (literal)

Titolo

• Conductance quantization in etched Si/SiGe quantum point contacts (literal)

Abstract

• We fabricated strongly confined Schottky-gated quantum point contacts by etching Si/SiGe heterostructures and observed intriguing conductance quantization in units of approximately 1e(2)/h. Nonlinear conductance measurements were performed depleting the quantum point contacts at fixed mode-energy separation. We report evidence of the formation of a half 1e(2)/h plateau, supporting the speculation that adiabatic transmission occurs through one-dimensional modes with complete removal of valley and spin degeneracies. (literal)

Editore

• American Physical Society (APS) (Editore)

Prodotto di

• Nanodispositivi a semiconduttore (MD.P06.001.001) (Modulo)
• Istituto di fotonica e nanotecnologie (IFN) (Istituto)

Autore CNR

• ENNIO GIOVINE (Persona)
• ROBERTO LEONI (Persona)
• FLORESTANO EVANGELISTI (Unità di personale esterno)
• ANDREA NOTARGIACOMO (Persona)

Insieme di parole chiave

• Keywords of "Conductance quantization in etched Si/SiGe quantum point contacts" (Insieme di parole chiave)

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Autore CNR di

• ENNIO GIOVINE (Persona)
• ROBERTO LEONI (Persona)
• FLORESTANO EVANGELISTI (Unità di personale esterno)
• ANDREA NOTARGIACOMO (Persona)

Prodotto

• Istituto di fotonica e nanotecnologie (IFN) (Istituto)
• Nanodispositivi a semiconduttore (MD.P06.001.001) (Modulo)

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• Physical review. B, Condensed matter and materials physics (Rivista)

Editore di

• American Physical Society (APS) (Editore)

Insieme di parole chiave di

• Keywords of "Conductance quantization in etched Si/SiGe quantum point contacts" (Insieme di parole chiave)