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Conductance quantization in etched Si/SiGe quantum point contacts (Articolo in rivista)
- Type
- Label
- Conductance quantization in etched Si/SiGe quantum point contacts (Articolo in rivista) (literal)
- Anno
- 2006-01-01T00:00:00+01:00 (literal)
- Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#doi
- 10.1103/PhysRevB.74.035321 (literal)
- Alternative label
G. Scappucci 1; L. Di Gaspare 1; E. Giovine 2; A. Notargiacomo 2; R. Leoni 2; F. Evangelisti 1-2 (2006)
Conductance quantization in etched Si/SiGe quantum point contacts
in Physical review. B, Condensed matter and materials physics (Online); American Physical Society (APS), College Pk (Stati Uniti d'America)
(literal)
- Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori
- G. Scappucci 1; L. Di Gaspare 1; E. Giovine 2; A. Notargiacomo 2; R. Leoni 2; F. Evangelisti 1-2 (literal)
- Pagina inizio
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- Rivista
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- Note
- ISI Web of Science (WOS) (literal)
- Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni
- 1 Dipartimento di Fisica \"E. Amaldi,\" Università Roma TRE
2 Istituto di Fotonica e Nanotecnologie, IFN-CNR (literal)
- Titolo
- Conductance quantization in etched Si/SiGe quantum point contacts (literal)
- Abstract
- We fabricated strongly confined Schottky-gated quantum point contacts by etching Si/SiGe heterostructures and observed intriguing conductance quantization in units of approximately 1e(2)/h. Nonlinear conductance measurements were performed depleting the quantum point contacts at fixed mode-energy separation. We report evidence of the formation of a half 1e(2)/h plateau, supporting the speculation that adiabatic transmission occurs through one-dimensional modes with complete removal of valley and spin degeneracies. (literal)
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