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STATISTICAL APPROACH TO THE STRAIN-DRIVEN FORMATION OF InAs QUANTUM DOTS ON GaAs(001) (Articolo in rivista)
- Type
- Label
- STATISTICAL APPROACH TO THE STRAIN-DRIVEN FORMATION OF InAs QUANTUM DOTS ON GaAs(001) (Articolo in rivista) (literal)
- Anno
- 2012-01-01T00:00:00+01:00 (literal)
- Alternative label
- Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori
- Galitsyn YU G; Lyamkina A A; Moshchenko S P; Dmitriev D V; Toropov A I; Mikhailov YU I; Placidi E (literal)
- Pagina inizio
- Pagina fine
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- http://elibrary.ru/item.asp?id=18059795 (literal)
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- Rivista
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- Note
- Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni
- Institut fiziki poluprovodnikov SO RAN, Novosibirsk, Rossija IFP SO RAN, Novosibirsk, Rossija
Universita di Roma \"Tor Vergata\", Via della Ricerca Scientifica 1, I-00133 Rome, Italy
Institut himii tverdogo tela i mehanohimii SO RAN Novosibirskij gosudarstvennyj tehni?eskij universitet (literal)
- Titolo
- STATISTICAL APPROACH TO THE STRAIN-DRIVEN FORMATION OF InAs QUANTUM DOTS ON GaAs(001) (literal)
- Abstract
- Pokazano, ?to perehod Stranskogo-Krastanova fakti?eski javljaetsja dvumernym fazovym perehodom v modeli re?eto?nogo gaza. Dlja opisanija fazovogo perehoda byli ispol'zovany trehparametri?eskie izotermy; opredeleny parametry lateral'nogo vzaimodejstvija, privodja?ie k kondensacii kvantovyh to?ek. (literal)
- It is shown that the change of the growth mode from 2D to 3D in the formation of InAs quantum dots on (001) GaAs i.e. Stranski-Krastanov transition is actually a two-dimensional phase transition in the lattice-gas model. Three-parameter isotherms are used to describe the phase transition and the parameters of lateral interaction leading to the condensation of quantum dots are defined. (literal)
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