STATISTICAL APPROACH TO THE STRAIN-DRIVEN FORMATION OF InAs QUANTUM DOTS ON GaAs(001) (Articolo in rivista)

Type

• Articolo in rivista (Classe)
• Prodotto della ricerca (Classe)

Label

• STATISTICAL APPROACH TO THE STRAIN-DRIVEN FORMATION OF InAs QUANTUM DOTS ON GaAs(001) (Articolo in rivista) (literal)

Anno

• 2012-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Alternative label

• Galitsyn YU G; Lyamkina A A; Moshchenko S P; Dmitriev D V; Toropov A I; Mikhailov YU I; Placidi E (2012)
  STATISTICAL APPROACH TO THE STRAIN-DRIVEN FORMATION OF InAs QUANTUM DOTS ON GaAs(001)
  in DOKLADY AKADEMII NAUK VYS?EJ ?KOLY ROSSII; Izdatel'stvo Sibirskogo otdelenija RAS, Novosibirsk (Russia)
  (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori

• Galitsyn YU G; Lyamkina A A; Moshchenko S P; Dmitriev D V; Toropov A I; Mikhailov YU I; Placidi E (literal)

Pagina inizio

• 27 (literal)

Pagina fine

• 33 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#url

• http://elibrary.ru/item.asp?id=18059795 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume

• 2 (literal)

Rivista

• DOKLADY AKADEMII NAUK VYS?EJ ?KOLY ROSSII (Rivista)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#pagineTotali

• 7 (literal)

Note

• Google Scholar (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni

• Institut fiziki poluprovodnikov SO RAN, Novosibirsk, Rossija IFP SO RAN, Novosibirsk, Rossija Universita di Roma \"Tor Vergata\", Via della Ricerca Scientifica 1, I-00133 Rome, Italy Institut himii tverdogo tela i mehanohimii SO RAN Novosibirskij gosudarstvennyj tehni?eskij universitet (literal)

Titolo

• STATISTICAL APPROACH TO THE STRAIN-DRIVEN FORMATION OF InAs QUANTUM DOTS ON GaAs(001) (literal)

Abstract

• Pokazano, ?to perehod Stranskogo-Krastanova fakti?eski javljaetsja dvumernym fazovym perehodom v modeli re?eto?nogo gaza. Dlja opisanija fazovogo perehoda byli ispol'zovany trehparametri?eskie izotermy; opredeleny parametry lateral'nogo vzaimodejstvija, privodja?ie k kondensacii kvantovyh to?ek. (literal)
• It is shown that the change of the growth mode from 2D to 3D in the formation of InAs quantum dots on (001) GaAs i.e. Stranski-Krastanov transition is actually a two-dimensional phase transition in the lattice-gas model. Three-parameter isotherms are used to describe the phase transition and the parameters of lateral interaction leading to the condensation of quantum dots are defined. (literal)

Editore

• Izdatel'stvo Sibirskogo otdelenija RAS (Editore)

Prodotto di

• Institute of structure of matter (ISM) (Istituto)
• Microscopia a Scansione a Sonda Locale su sistemi nanostrutturati e materiali biologici (MD.P06.006.001) (Modulo)

Autore CNR

• ERNESTO PLACIDI (Unità di personale interno)

Insieme di parole chiave

• Keywords of "STATISTICAL APPROACH TO THE STRAIN-DRIVEN FORMATION OF InAs QUANTUM DOTS ON GaAs(001)" (Insieme di parole chiave)

Incoming links:

Prodotto

• Institute of structure of matter (ISM) (Istituto)
• Microscopia a Scansione a Sonda Locale su sistemi nanostrutturati e materiali biologici (MD.P06.006.001) (Modulo)

Autore CNR di

• ERNESTO PLACIDI (Unità di personale interno)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#rivistaDi

• DOKLADY AKADEMII NAUK VYS?EJ ?KOLY ROSSII (Rivista)

Editore di

• Izdatel'stvo Sibirskogo otdelenija RAS (Editore)

Insieme di parole chiave di

• Keywords of "STATISTICAL APPROACH TO THE STRAIN-DRIVEN FORMATION OF InAs QUANTUM DOTS ON GaAs(001)" (Insieme di parole chiave)