TAILORED EMITTER ION-IMPLANTED SILICON SOLAR CELLS (Articolo in rivista)

Type
Label
  • TAILORED EMITTER ION-IMPLANTED SILICON SOLAR CELLS (Articolo in rivista) (literal)
Anno
  • 1984-01-01T00:00:00+01:00 (literal)
Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#doi
  • 10.1016/0379-6787(84)90120-0 (literal)
Alternative label
  • R. GALLONI, L. FAVERO, A. M. MAZZONE and G. LULLI F. ZIGNANI L. MORETTINI (1984)
    TAILORED EMITTER ION-IMPLANTED SILICON SOLAR CELLS
    in Solar Cells; Elsevier Sequoia, Lausanne (Svizzera)
    (literal)
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  • R. GALLONI, L. FAVERO, A. M. MAZZONE and G. LULLI F. ZIGNANI L. MORETTINI (literal)
Pagina inizio
  • 69 (literal)
Pagina fine
  • 85 (literal)
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  • prodotto digitalizzato (literal)
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  • 11 (literal)
Rivista
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  • 1 (literal)
Note
  • ISI Web of Science (WOS) (literal)
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  • Laboratorio di Chimica e Tecnologia dei Materiali e Cornponenti per l'Elettronica (LAMEL), Consiglio Nazionale delle Ricerche, Via Castagnoli, 1-40126 Bologna (Italy); Facoltà di lngegneria, Istituto Chimico, Università di Bologna, Bologna (Italy); Facoltà di Scienze, Istituto di Chimica Fisica, Università di Modena, Modena (Italy); (literal)
Titolo
  • TAILORED EMITTER ION-IMPLANTED SILICON SOLAR CELLS (literal)
Abstract
  • Phosphorus ions were implanted into silicon single crystals at 10 keV under channelling conditions; this was followed by a 40 keV random implan- tation to obtain tailored emitters for solar cells. The implanted layers were annealed either by using an electron gun especially designed to perform heat treatments on semiconductor materials or by furnace treatments at 650 or 750 °C for 30 min. Electrical activity profiles, spectral response and cell and diode current-voltage characteristics were measured, and a one-dimensional computer model was used to correlate the cell's performance with the physical characteristics of the emitter layers; profile tailoring and residual damage after annealing were specifically analysed. (literal)
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