Al+ implanted 4H-SiC: improved electrical activation and ohmic contacts (Contributo in atti di convegno)

Type

• Prodotto della ricerca (Classe)
• Contributo in atti di convegno (Classe)

Label

• Al+ implanted 4H-SiC: improved electrical activation and ohmic contacts (Contributo in atti di convegno) (literal)

Anno

• 2013-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#doi

• 10.4028/www.scientific.net/MSF.740-742.767 (literal)

Alternative label

• R. Nipoti, A. Hallén, A. Parisini, F. Moscatelli, S. Vantaggio, (2013)
  Al+ implanted 4H-SiC: improved electrical activation and ohmic contacts
  in 9th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM 2012), St Petersburg, RUSSIA, SEP 02-06, 2012
  (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori

• R. Nipoti, A. Hallén, A. Parisini, F. Moscatelli, S. Vantaggio, (literal)

Pagina inizio

• 767 (literal)

Pagina fine

• 772 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#url

• http://www.scientific.net/MSF.740-742.767 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#titoloVolume

• SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2012 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#volumeInCollana

• 740-742 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#pagineTotali

• 4 (literal)

Note

• ISI Web of Science (WOS) (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni

• CNR-IMM of Bologna; KTH of Kista; University of Parma; CNR-IMM of Bologna; University of Parma (literal)

Titolo

• Al+ implanted 4H-SiC: improved electrical activation and ohmic contacts (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#curatoriVolume

• Alexander A. Lebedev, Sergey Yu. Davydov, Pavel A. Ivanov and Mikhail E. Levinshtein (literal)

Abstract

• The p-type doping of high purity semi-insulating 4H-SiC by Al+ ion implantation and a conventional thermal annealing of 1950 degrees C/5 min has been studied for implanted Al concentration in the range of 1x10(19) - 8x10(20) cm(-3) and 0.36 mu m thickness of the implanted layer. Sheet resistance in the range of 1.6 x 10(4) to 8.9 x 10(2) Omega(square), corresponding to a resistivity in the range of 4.7 x 10(-1) to 2.7 x 10(-2) Omega cm for increasing Al concentration have been obtained. Hall carrier density and mobility data in the temperature range of 140 - 600 K feature the transition from a valence band to an intra-band conduction for increasing Al concentration. In addition, the specific contact resistance of Ti/Al contacts on the 5 x 10(19) cm(-3) Al implanted specimen features a thermionic field effect conduction with a specific contact resistance in the 10(-6) Omega cm(2) decade. (literal)

Prodotto di

• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)
• Sviluppo di Modelli Fisici, Simulazioni e Tecniche di Caratterizzazione per le Nanoscienze (MD.P05.004.001) (Modulo)

Autore CNR

• FRANCESCO MOSCATELLI (Unità di personale interno)
• ROBERTA NIPOTI (Unità di personale interno)

Insieme di parole chiave

• Keywords of "Al+ implanted 4H-SiC: improved electrical activation and ohmic contacts" (Insieme di parole chiave)

Incoming links:

Prodotto

• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)
• Sviluppo di Modelli Fisici, Simulazioni e Tecniche di Caratterizzazione per le Nanoscienze (MD.P05.004.001) (Modulo)

Autore CNR di

• ROBERTA NIPOTI (Unità di personale interno)
• FRANCESCO MOSCATELLI (Unità di personale interno)

Insieme di parole chiave di

• Keywords of "Al+ implanted 4H-SiC: improved electrical activation and ohmic contacts" (Insieme di parole chiave)