Post-implantation annealing in a silane ambient using hot wall CVD (Articolo in rivista)

Type

• Articolo in rivista (Classe)
• Prodotto della ricerca (Classe)

Label

• Post-implantation annealing in a silane ambient using hot wall CVD (Articolo in rivista) (literal)

Anno

• 2006-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#doi

• 10.4028/www.scientific.net/MSF.527-529.839 (literal)

Alternative label

• Rao, S. and Bergamin, F. and Nipoti, R. and Hoff, A. M. and Oborina, E. and Saddow, S. E. (2006)
  Post-implantation annealing in a silane ambient using hot wall CVD
  in Materials science forum; TRANS TECH PUBLICATIONS LTD, LAUBLSRUTISTR 24, CH-8717 STAFA-ZURICH (Svizzera)
  (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori

• Rao, S. and Bergamin, F. and Nipoti, R. and Hoff, A. M. and Oborina, E. and Saddow, S. E. (literal)

Pagina inizio

• 839 (literal)

Pagina fine

• 842 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#altreInformazioni

• Congresso data SEP 18-23, 2005 Congresso luogo Pittsburgh, PA Congresso nome International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2005) Congresso relazione Contributo Congresso rilevanza Internazionale Curatore/i del volume Robert P. Devaty, David J. Larkin and Stephen E. Saddow Titolo del volume Silicon Carbide and Related Materials 2005, Pts 1 and 2 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#url

• http://www.scientific.net/MSF.527-529.839 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#titoloVolume

• Silicon Carbide and Related Materials 2005, Pts 1 and 2 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume

• 527-529 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#volumeInCollana

• 527-529 (literal)

Rivista

• Materials science forum (Rivista)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#pagineTotali

• 4 (literal)

Note

• ISI Web of Science (WOS) (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni

• Rao, S (Reprint Author), Univ S Florida, Dept Elect Engn, Tampa, FL 33620 USA. Univ S Florida, Dept Elect Engn, Tampa, FL 33620 USA. CNR, IMM, Sez Bologna, I-40129 Bologna, Italy. (literal)

Titolo

• Post-implantation annealing in a silane ambient using hot wall CVD (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#curatoriVolume

• Robert P. Devaty, David J. Larkin and Stephen E. Saddow (literal)

Abstract

• Post-implant annealing of Al implanted 4H-SiC has been performed in the temperature range from 1600 degrees C to 1750 degrees C. Annealing was conducted in a hot-wall CVD reactor using a silane-rich ambient. Ar was used as the carrier gas to deliver the silane to the annealing zone where the sample was heated via RF induction. The resulting annealed surfaces exhibited a step-bunch free, smooth morphology when viewed on SEM and AFM. The maximum surface roughness as measured via AFM was 0.65 nm RMS for the sample annealed at 1750 degrees C. (literal)

Editore

• TRANS TECH PUBLICATIONS LTD (Editore)

Prodotto di

• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)

Autore CNR

• ROBERTA NIPOTI (Unità di personale interno)
• FABIO BERGAMINI (Unità di personale esterno)

Insieme di parole chiave

• Parole chiave di "Post-implantation annealing in a silane ambient using hot wall CVD" (Insieme di parole chiave)

Incoming links:

Prodotto

• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)

Autore CNR di

• ROBERTA NIPOTI (Unità di personale interno)
• FABIO BERGAMINI (Unità di personale esterno)

Editore di

• TRANS TECH PUBLICATIONS LTD (Editore)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#rivistaDi

• Materials science forum (Rivista)

Insieme di parole chiave di

• Parole chiave di "Post-implantation annealing in a silane ambient using hot wall CVD" (Insieme di parole chiave)