Fully Ion Implanted Vertical p-i-n Diodes on High Purity Semi-Insulating 4H-SiC Wafers (Contributo in atti di convegno)

Type

• Contributo in atti di convegno (Classe)
• Prodotto della ricerca (Classe)

Label

• Fully Ion Implanted Vertical p-i-n Diodes on High Purity Semi-Insulating 4H-SiC Wafers (Contributo in atti di convegno) (literal)

Anno

• 2012-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#doi

• 10.4028/www.scientific.net/MSF.717-720.985 (literal)

Alternative label

• R. Nipoti, A. Nath, Y-L. Tian, F. Tamarri, F. Moscatelli, P. De Nicola, Mulpuri V. Rao (2012)
  Fully Ion Implanted Vertical p-i-n Diodes on High Purity Semi-Insulating 4H-SiC Wafers
  in 14th International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2011), Cleveland, OH, SEP 11-16, 2011
  (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori

• R. Nipoti, A. Nath, Y-L. Tian, F. Tamarri, F. Moscatelli, P. De Nicola, Mulpuri V. Rao (literal)

Pagina inizio

• 985 (literal)

Pagina fine

• 988 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#url

• http://www.scientific.net/MSF.717-720.985 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#titoloVolume

• SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2011, PTS 1 AND 2 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#volumeInCollana

• 717-720 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#pagineTotali

• 4 (literal)

Note

• ISI Web of Science (WOS) (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni

• CNR-IMM Bologna; George Mason University; CNR-IMM Bologna; CNR-IMM Bologna; MISTER Laboratory; George Mason University (literal)

Titolo

• Fully Ion Implanted Vertical p-i-n Diodes on High Purity Semi-Insulating 4H-SiC Wafers (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#isbn

• 978-3-03785-419-8 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#curatoriVolume

• Robert P. Devaty, Michael Dudley, T. Paul Chow and Philip G. Neudeck (literal)

Abstract

• The fabrication of a fully ion-implanted and microwave annealed vertical p-i-n diode using high purity semi-insulating 4H-SiC substrate has been demonstrated for the first time. The thickness of the intrinsic region is the wafer thickness 350 mu m. The anode and cathode of the diode have been doped with Al and P, respectively, to concentrations of few times 10(20) cm(-3) by ion implantation. The post implantation annealing has been performed by microwave heating the samples up to 2100 degrees C. (literal)

Editore

• TRANS TECH PUBLICATIONS LTD (Editore)

Prodotto di

• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)

Autore CNR

• ROBERTA NIPOTI (Unità di personale interno)
• FABRIZIO TAMARRI (Unità di personale interno)
• FRANCESCO MOSCATELLI (Unità di personale esterno)

Insieme di parole chiave

• Keywords of "Fully Ion Implanted Vertical p-i-n Diodes on High Purity Semi-Insulating 4H-SiC Wafers" (Insieme di parole chiave)

Incoming links:

Prodotto

• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)

Autore CNR di

• ROBERTA NIPOTI (Unità di personale interno)
• FABRIZIO TAMARRI (Unità di personale interno)
• FRANCESCO MOSCATELLI (Unità di personale esterno)

Editore di

• TRANS TECH PUBLICATIONS LTD (Editore)

Insieme di parole chiave di

• Keywords of "Fully Ion Implanted Vertical p-i-n Diodes on High Purity Semi-Insulating 4H-SiC Wafers" (Insieme di parole chiave)