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Post-implantation annealing of SiC: relevance of the heating rate (Articolo in rivista)
- Type
- Label
- Post-implantation annealing of SiC: relevance of the heating rate (Articolo in rivista) (literal)
- Anno
- 2007-01-01T00:00:00+01:00 (literal)
- Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#doi
- 10.4028/www.scientific.net/MSF.556-557.561 (literal)
- Alternative label
Nipoti, Roberta (2007)
Post-implantation annealing of SiC: relevance of the heating rate
in Materials science forum; TRANS TECH PUBLICATIONS LTD, LAUBLSRUTISTR 24, CH-8717 STAFA-ZURICH (Svizzera)
(literal)
- Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori
- Nipoti, Roberta (literal)
- Pagina inizio
- Pagina fine
- Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#altreInformazioni
- Congresso data SEP, 2006
Congresso luogo Newcastle upon Tyne, ENGLAND
Congresso nome 6th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials
Congresso relazione Su invito
Congresso rilevanza Internazionale
Curatore/i del volume N. Wright, C.M. Johnson, K. Vassilevski, I. Nikitina and A. Horsfall
Titolo del volume Silicon Carbide and Related Materials 2006 (literal)
- Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#url
- http://www.scientific.net/MSF.556-557.561 (literal)
- Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#titoloVolume
- Silicon Carbide and Related Materials 2006 (literal)
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- Rivista
- Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#pagineTotali
- Note
- ISI Web of Science (WOS) (literal)
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- Nipoti, R (Reprint Author), CNR, IMM BOlogna, Via Gobetti 101, I-40129 Bologna, Italy. CNR, IMM BOlogna, I-40129 Bologna, Italy. (literal)
- Titolo
- Post-implantation annealing of SiC: relevance of the heating rate (literal)
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- N. Wright, C.M. Johnson, K. Vassilevski, I. Nikitina and A. Horsfall (literal)
- Abstract
- With the aim to set a starting point for future investigations on the relevance of the heating ramp on the annealing of ion implanted SiC, a review study is presented here. This study focuses on the heating rate of different annealing setups and presents results that highlight the relevance of the heating ramp on the morphological, structural and electrical properties of ion implanted < 0001 > 4H- and 6H-SiC. The post-implantation annealing results of hot and room temperature implanted SiC are so different that their presentation is kept distinct. (literal)
- Editore
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