Post-implantation annealing of SiC: relevance of the heating rate (Articolo in rivista)

Type
Label
  • Post-implantation annealing of SiC: relevance of the heating rate (Articolo in rivista) (literal)
Anno
  • 2007-01-01T00:00:00+01:00 (literal)
Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#doi
  • 10.4028/www.scientific.net/MSF.556-557.561 (literal)
Alternative label
  • Nipoti, Roberta (2007)
    Post-implantation annealing of SiC: relevance of the heating rate
    in Materials science forum; TRANS TECH PUBLICATIONS LTD, LAUBLSRUTISTR 24, CH-8717 STAFA-ZURICH (Svizzera)
    (literal)
Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori
  • Nipoti, Roberta (literal)
Pagina inizio
  • 561 (literal)
Pagina fine
  • 566 (literal)
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  • Congresso data SEP, 2006 Congresso luogo Newcastle upon Tyne, ENGLAND Congresso nome 6th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials Congresso relazione Su invito Congresso rilevanza Internazionale Curatore/i del volume N. Wright, C.M. Johnson, K. Vassilevski, I. Nikitina and A. Horsfall Titolo del volume Silicon Carbide and Related Materials 2006 (literal)
Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#url
  • http://www.scientific.net/MSF.556-557.561 (literal)
Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#titoloVolume
  • Silicon Carbide and Related Materials 2006 (literal)
Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume
  • 556-557 (literal)
Rivista
Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#pagineTotali
  • 6 (literal)
Note
  • ISI Web of Science (WOS) (literal)
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  • Nipoti, R (Reprint Author), CNR, IMM BOlogna, Via Gobetti 101, I-40129 Bologna, Italy. CNR, IMM BOlogna, I-40129 Bologna, Italy. (literal)
Titolo
  • Post-implantation annealing of SiC: relevance of the heating rate (literal)
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  • N. Wright, C.M. Johnson, K. Vassilevski, I. Nikitina and A. Horsfall (literal)
Abstract
  • With the aim to set a starting point for future investigations on the relevance of the heating ramp on the annealing of ion implanted SiC, a review study is presented here. This study focuses on the heating rate of different annealing setups and presents results that highlight the relevance of the heating ramp on the morphological, structural and electrical properties of ion implanted < 0001 > 4H- and 6H-SiC. The post-implantation annealing results of hot and room temperature implanted SiC are so different that their presentation is kept distinct. (literal)
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