Simulation of the incomplete ionization of the n-type dopant Phosphorus in 4H-SiC, including screening by free carriers (Contributo in atti di convegno)

Type

• Prodotto della ricerca (Classe)
• Contributo in atti di convegno (Classe)

Label

• Simulation of the incomplete ionization of the n-type dopant Phosphorus in 4H-SiC, including screening by free carriers (Contributo in atti di convegno) (literal)

Anno

• 2011-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#doi

• 10.4028/www.scientific.net/MSF.679-680.397 (literal)

Alternative label

• Scaburri, Raffaele and Desalvo, Agostino and Nipoti, Roberta (2011)
  Simulation of the incomplete ionization of the n-type dopant Phosphorus in 4H-SiC, including screening by free carriers
  in 8th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials, Sundvolden Conf Ctr, Oslo, NORWAY, AUG 29-SEP 02, 2010
  (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori

• Scaburri, Raffaele and Desalvo, Agostino and Nipoti, Roberta (literal)

Pagina inizio

• 397 (literal)

Pagina fine

• 400 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#url

• http://www.scientific.net/MSF.679-680.397 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#titoloVolume

• SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2010 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume

• 679-680 (literal)

Note

• ISI Web of Science (WOS) (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni

• Scaburri, R (Reprint Author), CNR IMM Bologna, Via Gobetti 101, I-40129 Bologna, Italy. Scaburri, Raffaele; Desalvo, Agostino; Nipoti, Roberta, CNR IMM Bologna, I-40129 Bologna, Italy. (literal)

Titolo

• Simulation of the incomplete ionization of the n-type dopant Phosphorus in 4H-SiC, including screening by free carriers (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#curatoriVolume

• Monakhov, EV; Hornos, T; Svensson, BG (literal)

Abstract

• The simulation of the incomplete ionization of substitutional dopants in Silicon Carbide (SiC) is often performed using Boltzmann statistics and ionization energy values that do not depend on free carrier concentrations. But in the case of heavy doping Fermi-Dirac statistics is needed, while the case of an inhomogeneous dopants distribution or that of an excess carrier injection requires local free carrier concentration-dependent impurity ionization energies. Here a model for describing partial ionization from diluted to high homogeneous doping densities in SiC and in thermal equilibrium is presented and compared with results on Phosphorus doped 4H-SiC. (literal)

Editore

• TRANS TECH PUBLICATIONS LTD (Editore)

Prodotto di

• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)
• Sviluppo di Modelli Fisici, Simulazioni e Tecniche di Caratterizzazione per le Nanoscienze (MD.P05.004.001) (Modulo)

Autore CNR

• RAFFAELE SCABURRI (Unità di personale esterno)
• AGOSTINO DESALVO (Persona)
• ROBERTA NIPOTI (Unità di personale interno)

Insieme di parole chiave

• Keywords of "Simulation of the incomplete ionization of the n-type dopant Phosphorus in 4H-SiC, including screening by free carriers" (Insieme di parole chiave)

Incoming links:

Prodotto

• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)
• Sviluppo di Modelli Fisici, Simulazioni e Tecniche di Caratterizzazione per le Nanoscienze (MD.P05.004.001) (Modulo)

Autore CNR di

• ROBERTA NIPOTI (Unità di personale interno)
• AGOSTINO DESALVO (Persona)
• RAFFAELE SCABURRI (Unità di personale esterno)

Editore di

• TRANS TECH PUBLICATIONS LTD (Editore)

Insieme di parole chiave di

• Keywords of "Simulation of the incomplete ionization of the n-type dopant Phosphorus in 4H-SiC, including screening by free carriers" (Insieme di parole chiave)