2D simulation of under-mask penetration in 4H-SiC implanted with Al(+) ions (Contributo in atti di convegno)

Type

• Prodotto della ricerca (Classe)
• Contributo in atti di convegno (Classe)

Label

• 2D simulation of under-mask penetration in 4H-SiC implanted with Al(+) ions (Contributo in atti di convegno) (literal)

Anno

• 2011-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#doi

• 10.4028/www.scientific.net/MSF.679-680.421 (literal)

Alternative label

• Lulli, Giorgio and Nipoti, Roberta (2011)
  2D simulation of under-mask penetration in 4H-SiC implanted with Al(+) ions
  in 8th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials, Sundvolden Conf Ctr, Oslo, NORWAY, AUG 29-SEP 02, 2010
  (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori

• Lulli, Giorgio and Nipoti, Roberta (literal)

Pagina inizio

• 421 (literal)

Pagina fine

• 424 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#url

• http://www.scientific.net/MSF.679-680.421 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#titoloVolume

• SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2010 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume

• 679-680 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#pagineTotali

• 4 (literal)

Note

• ISI Web of Science (WOS) (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni

• Lulli, G (Reprint Author), CNR IMM Bologna, Via P Gobetti 101, I-40129 Bologna, Italy. Lulli, Giorgio; Nipoti, Roberta, CNR IMM Bologna, I-40129 Bologna, Italy. (literal)

Titolo

• 2D simulation of under-mask penetration in 4H-SiC implanted with Al(+) ions (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#curatoriVolume

• Edouard V. Monakhov, Tamás Hornos and Bengt. G. Svensson (literal)

Abstract

• In this work under-mask penetration of Al(+) ions implanted in 4H-SiC is investigated by computer simulation based on the Monte-Carlo binary collision approximation (MC-BCA). Results indicate that a small fraction of ions, implanted normal to a (0001) 4H-SiC wafer (8 degrees off-axis towards the {11-20}), is scattered and become channeled in the < 1120 > directions perpendicular to the < 0001 > axis. Due to this phenomenon, doped regions with concentration <= 10(-4) of the peak value, may extend laterally for a few mu m below the edge of a SiO(2) mask. (literal)

Editore

• TRANS TECH PUBLICATIONS LTD (Editore)

Prodotto di

• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)
• Sviluppo di Modelli Fisici, Simulazioni e Tecniche di Caratterizzazione per le Nanoscienze (MD.P05.004.001) (Modulo)

Autore CNR

• ROBERTA NIPOTI (Unità di personale interno)
• GIORGIO LULLI (Persona)

Insieme di parole chiave

• Keywords of "2D simulation of under-mask penetration in 4H-SiC implanted with Al(+) ions" (Insieme di parole chiave)

Incoming links:

Autore CNR di

• GIORGIO LULLI (Persona)
• ROBERTA NIPOTI (Unità di personale interno)

Prodotto

• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)
• Sviluppo di Modelli Fisici, Simulazioni e Tecniche di Caratterizzazione per le Nanoscienze (MD.P05.004.001) (Modulo)

Editore di

• TRANS TECH PUBLICATIONS LTD (Editore)

Insieme di parole chiave di

• Keywords of "2D simulation of under-mask penetration in 4H-SiC implanted with Al(+) ions" (Insieme di parole chiave)