SuMBE based organic thin film transistors (Articolo in rivista)

Type

• Articolo in rivista (Classe)
• Prodotto della ricerca (Classe)

Label

• SuMBE based organic thin film transistors (Articolo in rivista) (literal)

Anno

• 2004-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#doi

• 10.1016/j.synthmet.2004.08.008 (literal)

Alternative label

• F. De Angelis; T. Toccoli; A. Pallaoro; N. Coppedè; L. Mariucci; G. Fortunato; S. Iannotta (2004)
  SuMBE based organic thin film transistors
  in Synthetic metals
  (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori

• F. De Angelis; T. Toccoli; A. Pallaoro; N. Coppedè; L. Mariucci; G. Fortunato; S. Iannotta (literal)

Pagina inizio

• 291 (literal)

Pagina fine

• 295 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume

• 146 (literal)

Rivista

• Synthetic metals (Rivista)

Note

• ISI Web of Science (WOS) (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni

• IFN-CNR (literal)

Titolo

• SuMBE based organic thin film transistors (literal)

Abstract

• We report on the correlation between structural and electrical properties of pentacene thin film transistors fabricated by the novel supersonic molecular beam epitaxy (SuMBE) technique.We exploited the ability of SuMBE that, through the control on the molecular precursors in the beam, allows improving the quality in terms of structure and morphology of the semi-conducting thin films compared to the more standard OMBE growth. Different growth conditions were explored to find the better range of beam parameters improving the performance of the TFT device whereas the quality of the films grown was studied by atomic force microscopy. We show that the initial kinetic energy of the pentacene molecule strongly affects both the morphology of the films and the electrical properties of the devices that result to be strongly correlated. With our FET devices prepared, on SiO2/Si and top Au contact, we achieved the very promising field effect mobility larger than 0.5 cm2 V-1 s-1 for films grown at room temperature at a pentacene kinetic energy of about 5.5 eV that are characterized by large crystalline grains (>2um). (literal)

Prodotto di

• Elettronica su plastica basata su materiali organici ed ossidi semiconduttori (MD.P05.001.006) (Modulo)
• Crescita di materiali, funzionalizzazioni e dispositivi da precursori molecolari, inorganici e cluster (MD.P06.037.001) (Modulo)
• Istituto di fotonica e nanotecnologie (IFN) (Istituto)

Autore CNR

• Francesco De Angelis (Persona)
• SALVATORE IANNOTTA (Unità di personale interno)
• LUCIANO PALLARO (Unità di personale interno)
• NICOLA COPPEDE' (Unità di personale interno)
• TULLIO TOCCOLI (Persona)
• LUIGI MARIUCCI (Unità di personale interno)
• GUGLIELMO FORTUNATO (Persona)

Insieme di parole chiave

• Keywords of "SuMBE based organic thin film transistors" (Insieme di parole chiave)

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Autore CNR di

• SALVATORE IANNOTTA (Unità di personale interno)
• GUGLIELMO FORTUNATO (Persona)
• LUCIANO PALLARO (Unità di personale interno)
• TULLIO TOCCOLI (Persona)
• LUIGI MARIUCCI (Unità di personale interno)
• Francesco De Angelis (Persona)
• NICOLA COPPEDE' (Unità di personale interno)

Prodotto

• Istituto di fotonica e nanotecnologie (IFN) (Istituto)
• Elettronica su plastica basata su materiali organici ed ossidi semiconduttori (MD.P05.001.006) (Modulo)
• Crescita di materiali, funzionalizzazioni e dispositivi da precursori molecolari, inorganici e cluster (MD.P06.037.001) (Modulo)

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• Synthetic metals (Rivista)

Insieme di parole chiave di

• Keywords of "SuMBE based organic thin film transistors" (Insieme di parole chiave)