A single electron transistor based on Si/SiGe wires (Articolo in rivista)

Type
Label
  • A single electron transistor based on Si/SiGe wires (Articolo in rivista) (literal)
Anno
  • 2003-01-01T00:00:00+01:00 (literal)
Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#doi
  • 10.1016/j.msec.2003.09.086 (literal)
Alternative label
  • Notargiacomo A.(a); Di Gaspare L.(a) ; Scappucci G.(a); Mariottini G.(a); Giovine E.(b); Leoni R.(b); Evangelisti F.(a,b) (2003)
    A single electron transistor based on Si/SiGe wires
    in Materials science & engineering. C, Biomimetic materials, sensors and systems (Print); ELSEVIER SCIENCE BV, PO BOX 211, 1000 AE AMSTERDAM, NETHERLANDS, AMSTERDAM (Paesi Bassi)
    (literal)
Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori
  • Notargiacomo A.(a); Di Gaspare L.(a) ; Scappucci G.(a); Mariottini G.(a); Giovine E.(b); Leoni R.(b); Evangelisti F.(a,b) (literal)
Pagina inizio
  • 671 (literal)
Pagina fine
  • 673 (literal)
Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume
  • 23 (literal)
Rivista
Note
  • ISI Web of Science (WOS) (literal)
Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni
  • a Unita` INFM, Dipartimento di Fisica ''E. Amaldi'', Universita` Roma TRE, V. Vasca Navale 84, 00146 Rome, Italy b Istituto di Fotonica e Nanotecnologie, Consiglio Nazionale delle Ricerche, V. Cineto Romano 42, 00156 Rome, Italy (literal)
Titolo
  • A single electron transistor based on Si/SiGe wires (literal)
Abstract
  • We report on the electrical transport of wire-based devices fabricated on modulation-doped Si/SiGe two-dimensional electron gas. Two different geometries were investigated: straight and bended wires. In both cases, we found typical features of Coulomb blockade regime. Nevertheless, single electron transistor effects were found only on wires with bends. Reported data suggest that the insertion of bends is a suitable tool for obtaining single electron transistor behavior in Si/SiGe wires. (literal)
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