Oxidation kinetics of AlAs and (AlGa)As layers in GaAs-based diode laser structures: comparative analysis of available experimental data. (Articolo in rivista)

Type

• Articolo in rivista (Classe)
• Prodotto della ricerca (Classe)

Label

• Oxidation kinetics of AlAs and (AlGa)As layers in GaAs-based diode laser structures: comparative analysis of available experimental data. (Articolo in rivista) (literal)

Anno

• 2003-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Alternative label

• Nakwaski W.; Wasiak M.; Mackowiak P.; Bedyk W. ; Osinski M.; Passaseo A.; Tasco V.;Todaro M.T. ; De Vittorio M.; Joray R. ; Chen J.X.; Stanley R.P.; Fiore A. (2003)
  Oxidation kinetics of AlAs and (AlGa)As layers in GaAs-based diode laser structures: comparative analysis of available experimental data.
  in Semiconductor science and technology (Print)
  (literal)

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• Nakwaski W.; Wasiak M.; Mackowiak P.; Bedyk W. ; Osinski M.; Passaseo A.; Tasco V.;Todaro M.T. ; De Vittorio M.; Joray R. ; Chen J.X.; Stanley R.P.; Fiore A. (literal)

Pagina inizio

• 333 (literal)

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• 19 (literal)

Rivista

• Semiconductor science and technology (Rivista)

Note

• ISI Web of Science (WOS) (literal)

Titolo

• Oxidation kinetics of AlAs and (AlGa)As layers in GaAs-based diode laser structures: comparative analysis of available experimental data. (literal)

Prodotto di

• Istituto di fotonica e nanotecnologie (IFN) (Istituto)

Autore CNR

• ANDREA FIORE (Unità di personale interno)

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Prodotto

• Istituto di fotonica e nanotecnologie (IFN) (Istituto)

Autore CNR di

• ANDREA FIORE (Unità di personale interno)

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• Semiconductor science and technology (Rivista)