Field induced tunneling in SiGe wires. (Articolo in rivista)

Type
Label
  • Field induced tunneling in SiGe wires. (Articolo in rivista) (literal)
Anno
  • 2003-01-01T00:00:00+01:00 (literal)
Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#doi
  • 10.1016/S0928-4931(02)00231-X (literal)
Alternative label
  • Giovine E., Notargiacomo L.; Di Gaspare F.; Evangelisti F.; Palange E.; Leoni R.; Castellano M.G.; Torrioli G.; Foglietti V. (2003)
    Field induced tunneling in SiGe wires.
    in Materials science & engineering. C, Biomimetic materials, sensors and systems (Print)
    (literal)
Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori
  • Giovine E., Notargiacomo L.; Di Gaspare F.; Evangelisti F.; Palange E.; Leoni R.; Castellano M.G.; Torrioli G.; Foglietti V. (literal)
Pagina inizio
  • 37 (literal)
Pagina fine
  • 41 (literal)
Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume
  • 23 (literal)
Rivista
Note
  • ISI Web of Science (WOS) (literal)
Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni
  • IFN - Istituto di Fotonica e Nanotecnologie, Consiglio Nazionale delle Ricerche, Via Cineto Romano 42, 00156, Rome, Italy (literal)
Titolo
  • Field induced tunneling in SiGe wires. (literal)
Abstract
  • Source-drain characteristics of narrow wires, fabricated from high mobility SiGe two-dimensional electron gases, have been investigated at different temperatures and gate biases. The experimental behavior, although reminiscent of Coulomb blockade effects, is instead well accounted for by assuming that the wires are insulating, due to charge depletion, and that the current is due to field-induced tunneling. (literal)
Prodotto di
Autore CNR

Incoming links:


Autore CNR di
Prodotto
Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#rivistaDi
data.CNR.it