Charging Effects and related Equivalent Circuits for Ohmic Series and Shunt Capacitive RF MEMS Switches (Contributo in atti di convegno)

Type

• Contributo in atti di convegno (Classe)
• Prodotto della ricerca (Classe)

Label

• Charging Effects and related Equivalent Circuits for Ohmic Series and Shunt Capacitive RF MEMS Switches (Contributo in atti di convegno) (literal)

Anno

• 2008-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Alternative label

• George Papaioannu, Romolo Marcelli, Giancarlo Bartolucci, Simone Catoni, Giorgio De Angelis, Andrea Lucibello, Emanuela Proietti, Benno Margesin, Flavio Giacomozzi, François Deborgies (2008)
  Charging Effects and related Equivalent Circuits for Ohmic Series and Shunt Capacitive RF MEMS Switches
  in 9th International Symposium on RF MEMS and RF Microsystems, MEMSWAVE 2008, Heraklion, Greece, 30th June - 3rd July 2008
  (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori

• George Papaioannu, Romolo Marcelli, Giancarlo Bartolucci, Simone Catoni, Giorgio De Angelis, Andrea Lucibello, Emanuela Proietti, Benno Margesin, Flavio Giacomozzi, François Deborgies (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#url

• http://books.google.it/books/about/MEMSWAVE_2008.html?id=7pC8jwEACAAJ&redir_esc=y (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#titoloVolume

• Proceedings of the 9th International Symposium on RF MEMS and RF Microsystems, MEMSWAVE 2008 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#pagineTotali

• 4 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni

• University of Athens CNR-IMM Roma Unversity of Roma \"Tor Vergata\" FBK-irst, Trento ESA-ESTEC, Noordwijk, The Netherlands (literal)

Titolo

• Charging Effects and related Equivalent Circuits for Ohmic Series and Shunt Capacitive RF MEMS Switches (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autoriVolume

• AA.VV. (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#curatoriVolume

• Editor: George Konstantinidis (literal)

Abstract

• Abstract -- Charging effects in dielectrics are currently considered as the major limiting factor for the reliability of RF MEMS switches. In this paper, an ohmic series switch and a shunt capacitive one are studied for modeling the charging contributions due to the actuation pads used for the electrostatic actuation of the device. For simulation purposes, a lumped circuit based on equivalent capacitances can be defined. (literal)

Prodotto di

• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)
• Microsistemi ad Alta Frequenza: Tecnologie ed Affidabilità per Applicazioni di Terra e Spaziali (MD.P05.020.001) (Modulo)

Autore CNR

• EMANUELA PROIETTI (Persona)
• SIMONE CATONI (Unità di personale esterno)
• ANDREA LUCIBELLO (Unità di personale interno)
• GIORGIO DE ANGELIS (Persona)
• GIANCARLO BARTOLUCCI (Unità di personale esterno)
• ROMOLO MARCELLI (Persona)

Insieme di parole chiave

• Keywords of "Charging Effects and related Equivalent Circuits for Ohmic Series and Shunt Capacitive RF MEMS Switches" (Insieme di parole chiave)

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Autore CNR di

• ROMOLO MARCELLI (Persona)
• EMANUELA PROIETTI (Persona)
• GIANCARLO BARTOLUCCI (Unità di personale esterno)
• GIORGIO DE ANGELIS (Persona)
• ANDREA LUCIBELLO (Unità di personale interno)
• SIMONE CATONI (Unità di personale esterno)

Prodotto

• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)
• Microsistemi ad Alta Frequenza: Tecnologie ed Affidabilità per Applicazioni di Terra e Spaziali (MD.P05.020.001) (Modulo)

Insieme di parole chiave di

• Keywords of "Charging Effects and related Equivalent Circuits for Ohmic Series and Shunt Capacitive RF MEMS Switches" (Insieme di parole chiave)