Analysis of electrical characteristics of gate overlapped lightly doped drain (GOLDD) polysilicon thin film transistors with different LDD doping concentration. (Articolo in rivista)

Type

• Articolo in rivista (Classe)
• Prodotto della ricerca (Classe)

Label

• Analysis of electrical characteristics of gate overlapped lightly doped drain (GOLDD) polysilicon thin film transistors with different LDD doping concentration. (Articolo in rivista) (literal)

Anno

• 2003-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Alternative label

• Bonfiglietti A.; Cuscunà M.; Valletta A.; Mariucci L.; Pecora A.; Fortunato G.; Brotherton S.D.; Ayres J.R. (2003)
  Analysis of electrical characteristics of gate overlapped lightly doped drain (GOLDD) polysilicon thin film transistors with different LDD doping concentration.
  in I.E.E.E. transactions on electron devices
  (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori

• Bonfiglietti A.; Cuscunà M.; Valletta A.; Mariucci L.; Pecora A.; Fortunato G.; Brotherton S.D.; Ayres J.R. (literal)

Pagina inizio

• iss.12 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume

• 50 (literal)

Rivista

• I.E.E.E. transactions on electron devices (Rivista)

Note

• ISI Web of Science (WOS) (literal)

Titolo

• Analysis of electrical characteristics of gate overlapped lightly doped drain (GOLDD) polysilicon thin film transistors with different LDD doping concentration. (literal)

Prodotto di

• Istituto di fotonica e nanotecnologie (IFN) (Istituto)

Autore CNR

• GUGLIELMO FORTUNATO (Persona)
• LUIGI MARIUCCI (Unità di personale interno)
• ALESSANDRO PECORA (Persona)

Incoming links:

Autore CNR di

• ALESSANDRO PECORA (Persona)
• GUGLIELMO FORTUNATO (Persona)
• LUIGI MARIUCCI (Unità di personale interno)

Prodotto

• Istituto di fotonica e nanotecnologie (IFN) (Istituto)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#rivistaDi

• I.E.E.E. transactions on electron devices (Rivista)