Single-electron transistor based on modulation-doped SiGe heterostructures. (Articolo in rivista)

Type
Label
  • Single-electron transistor based on modulation-doped SiGe heterostructures. (Articolo in rivista) (literal)
Anno
  • 2003-01-01T00:00:00+01:00 (literal)
Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#doi
  • 10.1063/1.1592883 (literal)
Alternative label
  • Notargiacomo A. 1; Di Gaspare L. 1; Scappucci G. 1; Mariottini G. 1; Evangelisti F. 1; Giovine E. 2; Leoni R 2 (2003)
    Single-electron transistor based on modulation-doped SiGe heterostructures.
    in Applied physics letters
    (literal)
Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori
  • Notargiacomo A. 1; Di Gaspare L. 1; Scappucci G. 1; Mariottini G. 1; Evangelisti F. 1; Giovine E. 2; Leoni R 2 (literal)
Pagina inizio
  • 302 (literal)
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  • I dispositivi a singolo elettrone sono da alcuni anni oggetto della ricerca di punta a livello mondiale in quanto possibili candidati per le future generazioni di circuiti veloci ad altissima integrazione e a basso consumo. Mentre esiste una vasta letteratura riguardante dispositivi di semiconduttori III-V e di silicio, è ancora scarsa quella relativa a dispostivi di SiGe nonostante il grande avanzamento che l’introduzione del SiGe ha portato alla tecnologia del Si. Il nostro articolo si colloca in quest’ambito e costituisce uno dei primi a presentare un dispositivo a singolo elettrone di SiGe. Applied Physics Letters è una rivista internazionale di indiscusso prestigio nell’ambito della fisica applicata. Il fattore d’impatto della rivista nel 2002 è stato 3.849. (literal)
Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume
  • 83 (literal)
Rivista
Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#descrizioneSinteticaDelProdotto
  • Nell’articolo è riportata la caratterizzazione elettrica di un transistor a singolo elettrone basato su un filo realizzato in una eterostruttura a modulazione di drogaggio di SiGe contenente un gas elettronico bidimensionale. Il dispositivo è stato fabbricato presso il CNR utilizzando tecniche di nanofabbricazione. Il comportamento del dispositivo, con diamanti irregolari del diagramma di stabilità, è spiegato in termini di effetto Colombiano stocastico dovuto alla presenza lungo il filo di isole multiple, indotte dal disordine. (literal)
Note
  • ISI Web of Science (WOS) (literal)
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  • 1 Uni RomaTre, 2 IFN-CNR Istituto di Fotonica e Nanotecnologie, Via Cineto Romano 42, 00156 Roma, IT (literal)
Titolo
  • Single-electron transistor based on modulation-doped SiGe heterostructures. (literal)
Abstract
  • We report the characterization of a single-electron transistor based on bended wires fabricated on modulation-doped SiGe two-dimensional electron gas. Electrical measurements show a diamond-shaped stability plot and a nonperiodic sequence of conductance peaks. The device behavior suggests the presence of disorder-induced multiple islands along the wire. Conductance oscillations remain well pronounced above liquid helium temperature. (literal)
Prodotto di
Autore CNR
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