Noise performance of polycrystalline silicon thin-film transistors made by sequential lateral solidification. (Articolo in rivista)

Type

• Articolo in rivista (Classe)
• Prodotto della ricerca (Classe)

Label

• Noise performance of polycrystalline silicon thin-film transistors made by sequential lateral solidification. (Articolo in rivista) (literal)

Anno

• 2003-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Alternative label

• Bonfiglietti A. 1, Valletta A. 1, Mariucci L. 1, Pecora A. 1 and Fortunato G. 1 (2003)
  Noise performance of polycrystalline silicon thin-film transistors made by sequential lateral solidification.
  in Applied physics letters
  (literal)

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• Bonfiglietti A. 1, Valletta A. 1, Mariucci L. 1, Pecora A. 1 and Fortunato G. 1 (literal)

Pagina inizio

• 2709 (literal)

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• Questo articolo riguarda aspetti del rumore a bassa frequenza nei transistor a film sottile di silicio policristallino e si inquadra nell’ambito di una più ampia attività sulla fisica e tecnologia dei dispositivi a silicio policristallino in corso da diversi anni presso l’IFN-CNR. Tra le tecniche di caratterizzazione di tali dispositivi l’IFN-CNR è stato pioniere sull’analisi del rumore a bassa frequenza e tale attività viene riconosciuta a livello internazionale. I.F. 4.2; citazioni: 0 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume

• 82 (literal)

Rivista

• Applied physics letters (Rivista)

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• Low-frequency noise in polycrystalline silicon (polysilicon) thin-film transistors (TFTs), made using the sequential lateral solidification (SLS) technique, has been investigated. Two types of devices have been analysed: SLS polysilicon TFTs, where the noise is dominated by the carrier number fluctuations, and extended grain polysilicon TFTs, where an excess noise was present for low drain currents. The noise induced by carrier number fluctuations was seen to scale, in both types of devices, with the inverse of the channel area, as expected from the theory. The excess noise was explained considering the mobility fluctuations induced by the scattering with low angle grain boundaries present in the extended grain polysilicon. (literal)

Note

• ISI Web of Science (WOS) (literal)

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• 1- CNR (literal)

Titolo

• Noise performance of polycrystalline silicon thin-film transistors made by sequential lateral solidification. (literal)

Prodotto di

• Istituto di fotonica e nanotecnologie (IFN) (Istituto)

Autore CNR

• ALESSANDRO PECORA (Persona)
• LUIGI MARIUCCI (Unità di personale interno)
• GUGLIELMO FORTUNATO (Persona)

Insieme di parole chiave

• Parole chiave di "Noise performance of polycrystalline silicon thin-film transistors made by sequential lateral solidification." (Insieme di parole chiave)

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Autore CNR di

• ALESSANDRO PECORA (Persona)
• GUGLIELMO FORTUNATO (Persona)
• LUIGI MARIUCCI (Unità di personale interno)

Prodotto

• Istituto di fotonica e nanotecnologie (IFN) (Istituto)

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• Applied physics letters (Rivista)

Insieme di parole chiave di

• Parole chiave di "Noise performance of polycrystalline silicon thin-film transistors made by sequential lateral solidification." (Insieme di parole chiave)