Modeling of stress-induced leakage current and impact ionization in MOS devices (Articolo in rivista)

Type
Label
  • Modeling of stress-induced leakage current and impact ionization in MOS devices (Articolo in rivista) (literal)
Anno
  • 2002-01-01T00:00:00+01:00 (literal)
Alternative label
  • Ielmini D., Spinelli A. S., Lacaita A. L., Ghidini G. (2002)
    Modeling of stress-induced leakage current and impact ionization in MOS devices
    in Solid-state electronics
    (literal)
Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori
  • Ielmini D., Spinelli A. S., Lacaita A. L., Ghidini G. (literal)
Pagina inizio
  • 417 (literal)
Pagina fine
  • 422 (literal)
Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume
  • 46 (literal)
Rivista
Note
  • ISI Web of Science (WOS) (literal)
Titolo
  • Modeling of stress-induced leakage current and impact ionization in MOS devices (literal)
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