Modulation instability in RF MEMS devices (Articolo in rivista)

Type
Label
  • Modulation instability in RF MEMS devices (Articolo in rivista) (literal)
Anno
  • 2012-01-01T00:00:00+01:00 (literal)
Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#doi
  • 10.1007/s10470-011-9826-z (literal)
Alternative label
  • Marcelli, R.a , Bartolucci, G.ab , De Angelis, G.a , Lucibello, A.a , Proietti, E.a (2012)
    Modulation instability in RF MEMS devices
    in Analog integrated circuits and signal processing
    (literal)
Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori
  • Marcelli, R.a , Bartolucci, G.ab , De Angelis, G.a , Lucibello, A.a , Proietti, E.a (literal)
Pagina inizio
  • 59 (literal)
Pagina fine
  • 67 (literal)
Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume
  • 71 (literal)
Rivista
Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#pagineTotali
  • 8 (literal)
Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroFascicolo
  • 1 (literal)
Note
  • Scopu (literal)
Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni
  • a CNR-IMM Roma, Via Fosso del Cavaliere 100, Roma 00133, Italy b Department of Electronic Engineering, University of Roma Tor Vergata, Via del Politecnico 1, Roma 00133, I (literal)
Titolo
  • Modulation instability in RF MEMS devices (literal)
Abstract
  • Modulation instability generated by mechanical frequencies in RF MEMS switches is predicted and its potential contribution to the RF signal degradation is discussed. In particular, evaluations have been performed for double clamped configurations in shunt capacitive devices. As a conclusion, it is evidenced the possibility for the excitation of satellites affecting as noise sources higher than -40 dB the spectral purity of microwave sources. (literal)
Prodotto di
Autore CNR
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