Fabrication of air-bridge sub-micron Schottky junctions on Ge/SOI for THz detection (Articolo in rivista)

Type

• Articolo in rivista (Classe)
• Prodotto della ricerca (Classe)

Label

• Fabrication of air-bridge sub-micron Schottky junctions on Ge/SOI for THz detection (Articolo in rivista) (literal)

Anno

• 2013-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#doi

• 10.1016/j.mee.2013.04.017 (literal)

Alternative label

• R. Bagni 1 , E. Giovine 2, S. Carta 2, A. Di Gaspare 2, R. Casini 2, 3 , M. Ortolani 3, 4, V. Foglietti 2 , F. Evangelisti 1, A. Notargiacomo 2, (2013)
  Fabrication of air-bridge sub-micron Schottky junctions on Ge/SOI for THz detection
  in Microelectronic engineering
  (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori

• R. Bagni 1 , E. Giovine 2, S. Carta 2, A. Di Gaspare 2, R. Casini 2, 3 , M. Ortolani 3, 4, V. Foglietti 2 , F. Evangelisti 1, A. Notargiacomo 2, (literal)

Pagina inizio

• 470 (literal)

Pagina fine

• 473 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#url

• http://dx.doi.org/10.1016/j.mee.2013.04.017 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume

• Volume 110 (literal)

Rivista

• Microelectronic engineering (Rivista)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#pagineTotali

• 4 (literal)

Note

• Scopu (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni

• 1 Physics Department, Università Roma TRE, Rome, Italy 2 Institute of Photonics and Nanotechnology, CNR, Rome, Italy 3 Department of Electronic Engineering, Università Tor Vergata, Rome, Italy 4 Physics Department, Università La Sapienza, Rome, Italy (literal)

Titolo

• Fabrication of air-bridge sub-micron Schottky junctions on Ge/SOI for THz detection (literal)

Abstract

• We report on the fabrication and electrical characterization of Schottky diodes on epitaxial relaxed germanium for THz detection, which implement both a sub-micron junction area and the air-bridge technology. The small footprint necessary for low capacitances and T-shaped contacts are obtained by using a triple layer of electronic resists with different sensitivity. The cross-sectional analyses revealed a clearly suspended air-bridge and the T-shape of the metal contact with footprint width below 400 nm. The electrical characterization at room temperature shows well defined Schottky diode behavior with ideality factor between 1 and 2 and low series resistance suitable for THz detection. (literal)

Prodotto di

• Materiali Magnetici Nanostrutturati (MD.P04.003.001) (Modulo)
• Institute of structure of matter (ISM) (Istituto)

Autore CNR

• MICHELE ORTOLANI (Unità di personale esterno)
• ANDREA NOTARGIACOMO (Unità di personale interno)
• FLORESTANO EVANGELISTI (Unità di personale esterno)
• STEFANO CARTA (Persona)
• ENNIO GIOVINE (Persona)
• Roberto Casini (Unità di personale esterno)
• VITTORIO FOGLIETTI (Persona)
• Alessandra Di Gaspare (Unità di personale esterno)

Incoming links:

Autore CNR di

• ENNIO GIOVINE (Persona)
• VITTORIO FOGLIETTI (Persona)
• FLORESTANO EVANGELISTI (Unità di personale esterno)
• Alessandra Di Gaspare (Unità di personale esterno)
• STEFANO CARTA (Persona)
• MICHELE ORTOLANI (Unità di personale esterno)
• Roberto Casini (Unità di personale esterno)
• ANDREA NOTARGIACOMO (Unità di personale interno)

Prodotto

• Institute of structure of matter (ISM) (Istituto)
• Materiali Magnetici Nanostrutturati (MD.P04.003.001) (Modulo)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#rivistaDi

• Microelectronic engineering (Rivista)