Effect of back-gate on contact resistance and on channel conductance in graphene-based field-effect transistors (Articolo in rivista)

Type

• Articolo in rivista (Classe)
• Prodotto della ricerca (Classe)

Label

• Effect of back-gate on contact resistance and on channel conductance in graphene-based field-effect transistors (Articolo in rivista) (literal)

Anno

• 2013-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#doi

• 10.1016/j.diamond.2013.06.002 (literal)

Alternative label

• A. Di Bartolomeo, S. Santandrea, F. Giubileo, F. Romeo, M. Petrosino, R. Citro, P. Barbara, G. Lupina, T. Schroeder, A. Rubino (2013)
  Effect of back-gate on contact resistance and on channel conductance in graphene-based field-effect transistors
  in Diamond and related materials
  (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori

• A. Di Bartolomeo, S. Santandrea, F. Giubileo, F. Romeo, M. Petrosino, R. Citro, P. Barbara, G. Lupina, T. Schroeder, A. Rubino (literal)

Pagina inizio

• 19 (literal)

Pagina fine

• 23 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume

• 38 (literal)

Rivista

• Diamond and related materials (Rivista)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#pagineTotali

• 5 (literal)

Note

• Scopus (literal)
• ISI Web of Science (WOS) (literal)

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• Dipartimento di Fisica \"E.R. Caianiello\" and Centro Interdipartimentale NANO_MATES, Università di Salerno, via Ponte don Melillo, 84084, Fisciano (SA), Italy CNR-SPIN Salerno, c/o Dipartimento di Fisica, Università di Salerno, via Ponte don Melillo, 84084, Fisciano (SA), Italy Dipartimento di Ingegneria Industriale, Università di Salerno, via Ponte don Melillo, 84084, Fisciano (SA), Italy Physics Department, Georgetown University, Washington, DC 20057-1228, USA IHP, Im Technologiepark 25, 15236, Frankfurt (Oder), Germany (literal)

Titolo

• Effect of back-gate on contact resistance and on channel conductance in graphene-based field-effect transistors (literal)

Abstract

• We study the contact resistance and the transfer characteristics of back-gated field effect transistors of mono- and bi-layer graphene. We measure specific contact resistivity of ~ 7 k ? ?m2 and ~ 30k ? ?m2 for Ni and Ti, respectively. We show that the contact resistance is a significant contributor to the total source-to-drain resistance and it is modulated by the back-gate voltage. We measure transfer characteristics showing a double dip feature that we explain as the effect of doping due to charge transfer from the contacts causing minimum density of states for graphene under the contacts and in the channel at different gate voltage. (literal)

Prodotto di

• Proprietà statiche e dinamiche in superconduttori del II tipo, e loro funzionalità nelle applicazioni per l'energia (MD.P04.023.002) (Modulo)

Autore CNR

• FRANCESCO ROMEO (Persona)
• ROBERTA CITRO (Persona)
• FILIPPO GIUBILEO (Unità di personale interno)

Insieme di parole chiave

• Parole chiave di "Effect of back-gate on contact resistance and on channel conductance in graphene-based field-effect transistors" (Insieme di parole chiave)

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Autore CNR di

• FILIPPO GIUBILEO (Unità di personale interno)
• ROBERTA CITRO (Persona)
• FRANCESCO ROMEO (Persona)

Prodotto

• Proprietà statiche e dinamiche in superconduttori del II tipo, e loro funzionalità nelle applicazioni per l'energia (MD.P04.023.002) (Modulo)

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• Diamond and related materials (Rivista)

Insieme di parole chiave di

• Parole chiave di "Effect of back-gate on contact resistance and on channel conductance in graphene-based field-effect transistors" (Insieme di parole chiave)