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Fabrication and Characterization of Sol-Gel GeO2-SiO2 Erbium-Doped Planar Waveguides (Articolo in rivista)
- Type
- Label
- Fabrication and Characterization of Sol-Gel GeO2-SiO2 Erbium-Doped Planar Waveguides (Articolo in rivista) (literal)
- Anno
- 1999-01-01T00:00:00+01:00 (literal)
- Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#doi
- 10.1023/A:1008618621828 (literal)
- Alternative label
A. Martucci, G. Brusatin, M. Guglielmi, C. Strohhöfer, J. Fick, S. Pelli, G.C. Righini (1999)
Fabrication and Characterization of Sol-Gel GeO2-SiO2 Erbium-Doped Planar Waveguides
in Journal of sol-gel science and technology; Kluwer, Dordrecht (Paesi Bassi)
(literal)
- Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori
- A. Martucci, G. Brusatin, M. Guglielmi, C. Strohhöfer, J. Fick, S. Pelli, G.C. Righini (literal)
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- Pagina fine
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- http://link.springer.com/article/10.1023%2FA%3A1008618621828 (literal)
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- Rivista
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- Note
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- Dipto. Ingegneria Mecc. - Settore M., Università di Padova, Via Marzolo, 9, 35131 Padova, Italy
Lab. d'Electromagnetisme M., ENSERG, BP 257, 38016 Grenoble, France
I.R.O.E.-C.N.R., Via Panciatichi 64, 50125 Firenze, Italy (literal)
- Titolo
- Fabrication and Characterization of Sol-Gel GeO2-SiO2 Erbium-Doped Planar Waveguides (literal)
- Abstract
- GeO2-SiO2 sol-gel planar waveguides doped with Er were deposited by spinning on silica substrates. P2O5 or Al2O3 were used as co-dopants to improve erbium dissolution in the GeO2-SiO2 matrix. Multilayer amorphous films were obtained at 600 or 700°C. Er ions in the planar waveguide pumped at 980 nm showed fluorescence features around 1530 nm. Narrow fluorescence spectra (~20 nm) and long lifetimes (~6 ms) were found in P2O5 co-doped samples, whereas Al2O3 co-doping gave wider spectra (~50 nm) with slightly lower lifetimes (~5 ms). The quenching concentration in the Al2O3 co-doped samples was 0.9 mol% Er. Heat treatments in CCl4 improve the active properties and the addition of Yb enhances the pump absorption efficiency. (literal)
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