Fabbricazione via rf-sputtering e caratterizzazione di cristalli fotonici 1-D (Comunicazione a convegno)

Type
Label
  • Fabbricazione via rf-sputtering e caratterizzazione di cristalli fotonici 1-D (Comunicazione a convegno) (literal)
Anno
  • 2006-01-01T00:00:00+01:00 (literal)
Alternative label
  • A.Chiasera, C. Armellini, M. Ferrari, C.E.L Goyes,Y. Jestin, S.N.B. Bhaktha, A. Chiappini, M. Montagna, E. Moser, C. Tosello, K.C. Vishunubhatla, G. Nunzi Conti, S. Pelli, G.C. Righini, R.M. Almeida, A. Marques (2006)
    Fabbricazione via rf-sputtering e caratterizzazione di cristalli fotonici 1-D
    in 5° Workshop su Ottiche diffrattive, microottica e microsistemi, Firenze, 11-12 maggio 2006
    (literal)
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  • A.Chiasera, C. Armellini, M. Ferrari, C.E.L Goyes,Y. Jestin, S.N.B. Bhaktha, A. Chiappini, M. Montagna, E. Moser, C. Tosello, K.C. Vishunubhatla, G. Nunzi Conti, S. Pelli, G.C. Righini, R.M. Almeida, A. Marques (literal)
Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni
  • A. Chiasera1, C. Armellini1, M. Ferrari1, C.E.L Goyes1,Y. Jestin1, S.N.B. Bhaktha2, A. Chiappini2,M. Montagna2, E. Moser2, C. Tosello2, K.C. Vishunubhatla2, G. Nunzi Conti3, S. Pelli3, G.C. Righini3, R.M. Almeida4, A. Marques4 1IFN-CNR, Istituto di Fotonica e Nanotecnologie, Sez. Trento, CSMFO group, via Sommarive 14, 38050 Povo-Trento, Italia. achiaser@science.unitn.it 2Dipartimento di Fisica, Università di Trento CSMFO group, via Sommarive 14, 38050 Povo-Trento, Italia. 3CNR-IFAC Istituto di Fisica Applicata, \"Nello Carrara\",MDF-Lab, Via Madonna del Piano 10, 50019 Sesto Fiorentino (Firenze), Italia. 4Depart. Eng. de Materiais / ICEMS, Instituto Superior Técnico, Technical University of Lisboa, Portugal (literal)
Titolo
  • Fabbricazione via rf-sputtering e caratterizzazione di cristalli fotonici 1-D (literal)
Abstract
  • The fabrication of microcavities by rf-sputtering process and their optical properties are described. The cavity is constituted of an Er3+/Yb3+-codoped SiO2 active layer inserted between two Bragg mirrors, fabricated by stacking alternately five TiO2 and Er3+/Yb3+-activated SiO2 films fabricated by rf-sputtering. NIR Transmission spectra were performed. The cavity resonance with a quality factor of 70 was obtained at 1528 nm. Er3+ luminescence modification due to the cavity effect, intensity enhancement and modification of the line shape has been observed. (literal)
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